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第七章 半导体理论
第一节 半导体导电特性
，错误的是______。
A．空穴是多数载流子
B．在二极管中，优点是______。
A．电路结构简单 B．二极管承受的反向电压小
C．输出直流平均电流大 D．使用二极管数量少
滤波
，电容器与负载______联，电感与负载______联。
A．串／并 B．并／串 C．并／并 D．串／串
，其脉动程度______。
A．不一定 B．变大 C．变小 D．不变
、电容滤波器、稳压管的全波整流电路发生故障，经示波器观察波形如图。可能的故障是______。
A．整流变压器引线线 B．电容滤波器引线断
C．稳压管引线断 D．整流二极管引线断
、电容滤波器、稳压管的全波整流电路发生故障，经示波器观察波形如图所示。可能的故障是______。
A．整流变压器引线线 B．电容滤波器引线断
C．稳压管引线断 D．整流二极管引线断
，一般要顺序地经历______。
A．整流电路、整流变压器、稳压环节、滤波环节
B．整流变压器、整流电路、稳压环节、滤波环节
C．整流变压器、整流电路、滤波环节、稳压环节
D．稳压环节、整流变压器、整流电路、滤波环节
三极管
，无论基极偏置电流多大，
无论是PNP型还是NPN型，三极管三个极电流总有______。
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A．IC=IB+IE B．IB=IE+IC C．IE =IB+IC D．IE =（+1）IB
。
A．发射结正向偏置，集电结反向偏置
B．发射结反向偏置，集电结正向偏置
C．发射结正向偏置，集电结正向偏置
D．发射结反向偏置，集电结反向偏置
。
A．发射结正向偏置，集电结反向偏置
B．发射结反向偏置，集电结正向偏置
C．发射结正向偏置，集电结正向偏置
D．发射结反向偏置，集电结反向偏置
，
晶体管处于______。
A．放大区 B．饱和区 C．截止区 D．放大或饱和区
“β”参数是______。
A．电压放大系数 B．集电极最大功耗
C．电流放大系数 D．功率放大系数
V，
V， V，可判断出其工作状态为______。
A．截止 B．饱和导通 C．线性放大 D．非线性放大
，管脚电位应有______。
A．VC＞VE＞VB B．VC＞VB＞VE C．VC＞VB＞VE D．VB＞VE＞VC