文档介绍：在抗坏血酸存在下用掺杂有纯碳纳米管的电沉积导电聚合物PEDOT检测多巴***
姓名：孙月昕
学号：1002014024
专业：分析化学
摘要
基于掺杂有纯碳纳米管（CNT ）的电导电性高分子（聚乙烯二氧在抗坏血酸存在下用掺杂有纯碳纳米管的电沉积导电聚合物PEDOT检测多巴***
姓名：孙月昕
学号：1002014024
专业：分析化学
摘要
基于掺杂有纯碳纳米管（CNT ）的电导电性高分子（聚乙烯二氧噻吩）（ PEDOT）开发一种具有高度稳定的和高灵敏度的电化学多巴***（DA）的检测的传感器。将掺杂有唯一掺杂剂碳纳米管的PEDOT / CNT纳米复合物通过的PEDOT的电化学聚合沉积在碳糊电极上。采用循环伏安法和微分脉冲伏安法对碳糊电极上的PEDOT / CNT薄膜的电化学性能进行了表征。在PEDOT / CNT（聚乙烯二氧噻吩/碳纳米管）膜测定DA的氧化还原反应表现高的电催化活性，而且DA的氧化还原峰电流的峰值与修饰电极相关的多巴***浓度有关。一个灵敏的DA传感器是基于此优异的催化性能而发展的，~20μm，检测极限为20nM。这种传感器容易制得，非常稳定且可重复使用，并且不受抗坏血酸的干扰（存在的浓度比DA高1000倍），所有这些都使得它成为一种很有前途的检测DA的技术。
Fig. 1. Cyclic voltammograms of (a) the bare CPE, (b) the CNT/CPE, (c) the PEDOT/PSS/CPE and (d) the PEDOT/CNT/CPE in M pH B-R buffer solution containing mM DA. The scan rate is 100 mVs-1.
Fig. 2. SEM images of PEDOT/PSS (top) and PEDOT/CNT (bottom) modified CPEs.
Fig. 3. Dependence of the cyclic voltammogram of mM DA at the PEDOT/CNT/CPE on the scan rate. 1–15 correspond to the scan rates of 20, 40, 60, 80, 100, 120, 140, 160, 180, 200, 220, 240, 260, 280, 300 mVs-1. Insets: Plots of the Ip versus and ½ at the PEDOT/CNT/CPE, respectively. (a) Ipa~v ; (b) Ipc~v; (c)Ipa~v½; (d) Ipc~v½.
. DPV curves of DA at the PEDOT/CNT/CPE in the presence of mM AA in pH B-R buffer solution. Curves a–h correspond to the concentrations of , , , , , 13, 16 and 20uM, respectively. Inset: plot of the DPV current versus the concentration of DA. Error bars represent the standard deviation of 3 measurements.
结论
用基于导电聚合物纳米复合材料PEDOT / CNT改性的CPE对DA的检测灵敏度和选择性较好的制备的电化学传感器，这是通过只有碳纳米管存在下EDOT的电化学聚合改性开发制得的。PEDOT / CNT修饰电极对DA的电化学反应表现出优良的催化性能，并且在AA的存在时它不受影响。此外，DA传感器表现出令人满意的长期稳定性。基于我们上面的工作，PEDOT / CNT膜已被证明是示出无毒性的神经元细胞的生物相容性材料。随着进一步的发展，这种传感器可以用于神经递质多巴***的生物组织例如脑的检测。
谢谢！