辐射缺点 辐射缺点工程.docx

文档介绍：辐射缺陷 辐射缺陷工程

　　Kozlovski Vitali StatePolytechnical University，RussiaAbrosimova Vera Institute ofMieroelectronics Tec辐射缺陷 辐射缺陷工程

　　Kozlovski Vitali StatePolytechnical University，RussiaAbrosimova Vera Institute ofMieroelectronics Technology and High PurityMaterials of the RAS，RussiaRadiation DefectEngineering，253pp．Hardcover USD 981-256-521-3World
　　半导体电子学问题复杂性的持续增长，和类似微波电子学、光电子学这样的新方向发展阐明了目前使用的掺杂工艺没有足够的潜力，并且谋求和开发新的措施是不可避免的。其中一种最有盼望的技术是辐射掺杂，即在多种类型辐射的作用下，对半导体的性质有目的地定向改善。中性的粒子，例如中子和γ量子，它们在对半导体晶片和锭料的均匀掺杂中被广泛应用。运用辐射掺杂，非均匀掺杂剖面只能通过应用辐射来获得，它能保证半导体的性质在预定深度上的有效改善。从这一见解出发，最佳的措施是使用短距离的带电粒子，例如加速离子。由于在中断过程中它们能量损失的特殊状况，近年来为了这个目的使用最轻的离子，即质子受到了特殊的关注。过去的几十年中，诸多重要工艺措施获得了长足的进步，而这些工艺措施所有是在半导体和带电粒子的辐射掺杂过程中发生的。这一切拓展了有关辐射缺陷的产生，它们的性质和它们和半导体中杂质交互作用的信息，并逐渐形成了运用质子束辐射的新措施。目前，有关有选择半导体微观嬗变掺杂和半导体器件中辐射感生缺陷的述评论文在科学出版物中大量地浮现。然而至今为止，在全世界