文档介绍：Micro-LED的专利分析研究
 
 
杨慧敏 刘艳
摘要：Micro-LED又称微型发光二极管，是指将芯片尺寸缩减至100μm以下，乃至50μm以下的微米级发光二极管。Micro-LED芯片具有寸尺小、集成度高和窄间距等 
 
Micro-LED的专利分析研究
 
 
杨慧敏 刘艳
摘要：Micro-LED又称微型发光二极管，是指将芯片尺寸缩减至100μm以下，乃至50μm以下的微米级发光二极管。Micro-LED芯片具有寸尺小、集成度高和窄间距等特点，在显示方面与LCD、OLED相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势[1].本文对Micro-LED领域的专利进行了分析，为该领域的技术创新发展提供数据支持。
本文涉及的专利检索过程是在HimmPat中的全球数据库下采用关键词结合分类号的方式完成，检索截止时间为2021年07月31日。通过对检索结果筛选、标引主要对Micro-LED相关的专利申请量趋势、全球主要申请人以及中国主要申请人及其专利布局情况进行了分析。
由于2021年的数据统计不完整，且该年度申请的专利多数处于未公开的状态，为避免数据偏差，申请量的发展趋势图的统计截止于2020年。
该领域的申请量自从2012年开始逐年递增，2012年该领域的申请量为66件，2013年增长到105件，2014年增长到127件，2015年增长到173件，2016年增长到274件，可见，2012-2016年之间该领域的专利申请量保持着较平稳的增长速度，表明该时期为Micro-LED的技术萌芽期。
自2016年之后，专利申请量飞速增长，2017年增长到628件，2018年的申请量为1091件，2019年和2020年的申请量分别为1454件和1344件，可见，该时期专利申请量的增长速度是前期增长速度的三倍左右，2017-2020年的申请总量占到了该领域专利申请总量的75%左右，这也可以看出，该领域自2017年起进入快速增长期，且目前仍处于快速发展的阶段。
对Micro-LED的全球专利的主要来源地域分析，经分析，Micro-LED的全球专利的申请主体主要是以中国、美国、韩国和中国台湾为主，%、%、%%，其中，我国是Micro-LED专利的主要来源国，其占比远超排在第二名的美国。这也表面，Micro-LED技术在我国具有较高的研究热度。
对该领域的全球主要申请人进行了排名，经分析，全球申请人排名的前十中，有七家中国企业，且排名前三的均是中国企业，分别是京东方科技集团、深圳华星光电和重庆康佳光电，这也表明国内企业在Micro-LED领域均有较高的投
入，也证明了Micro-LED技术在下一代显示技术中的重要性。除此之外，申请量较多的还有排名第六的上海天马微电子、排名第七的脸谱科技、排名第八的TCL华星光电和排名第九的深圳思坦科技。全球主要申请人排名的前十中还有三家韩国企业，分别是排名第四的三星电子株式会社、排名第五的LUMENS株式会社和排名第十的LG电子株式会社。