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调速方法通常有机械的、电气的、液压的、气动的几种r/min,额定速降为"%用-'如果要求静差率SV10%则调速范围只有110x0-01)动态指标运动控制系统在过渡过程中的性能指标称为动态指标，动态指标包括跟随性能指标和抗扰性能指标两类。
（1）跟随性能指标在给定信号（或称参考输入信号）R（t）的作用下，系统输出量C（t）的变化情况用跟随性能指标来描述。对于不同变性能指标是在初始条件为零的情况下，以系统对单位阶跃输入信号的输出响应（称为单位阶跃响应）为依据提出的，
，它表示动态响应的快速性。
超调量口'动态过程中，输出量超过输出稳态值的最大偏差与稳态值之比，用百分数表示，叫做超调量，即L-（7g——xlOO%超调量用来说明系统的相对稳定性，超调量越小，说明系统的相对稳定性越好，即动态响应比较平稳。
① 调节时间ts
调节时间又称过渡过程时间，它衡量系统整个动态响应过程的快慢。原则上它应该是系统从给定信号阶跃变化起，到输理论上要到£二°°才真正稳定。实际应用中，一般将单位阶跃响应曲线衰减到与稳态值的误差进入并且不再超出允许误差带（通节时间。
（SCR晶闸管的结构闸管晶是在半导体二极管、三极管之后出现的一种新型的大功率半导体器件，它是一种可控制的硅整流元件，亦称可控
个电极，即阳极A,阴极K,控制极（又称门极）G。根据功率的大小，具有TO92TO22CX螺栓形和平板形等多种封装形式，如图
它可与散热器固定，另一端的粗引线是阴极K,细线是控制极G,这种结构更换方便，用于1CCA以下元件。平板形中间的金属环
是阴极K这种结构散热效果比较好，用于200A以上的元件。
晶闸管是由四层半导体构成的，（b）所示。它由单晶硅薄片P1、N1、P2、N2四层半导体材料叠成，形成三个
oli
、结构及图形符号(a) 外形封装
(b) 内部结构
(c) 图形符号
PNP型晶体管VT1,另一只为NPNmi
晶闸管的工作原理
实验证明，当在晶闸管的阳极与阴极之间加反向电压时，这时不管控制极的信号情况如何，晶闸管都不会导通。当在晶阴极之间没有电压或加反向电压，晶闸管还是不会导通。只有当在晶闸管的阳极与阴极之间加正向电压时，在控制极与阴极之间不管控制极有没有电压，只要阳极与阴极之间维持正向电压，则晶闸管就维持导通。下面来分析晶闸管的工作机理根据晶闸管的内部结构，可以把它等效地看成是两只晶体管的组合，其中，(a)结构分解图(b)三极管等效电路当晶闸管的阳极与阴极之间加上正向电压时，这时VT1和VT2都承受正向电压，如果在控制极上加上一个对阴极为正的电Ib2,经过VT2的放大，在VT2的集电极就产生电流Ic2=62Ib2=62Ig(62为VT2的电流放大系数)，而这个IC2又恰恰是V便得到VT1的集电极电流IC2=61Ib1=6162Ig(01为VT1的电流放大系数)，由于VT1的集电极和VT2的基极是接在一起的，环下去，形成强烈的正反馈，直至元件全部导通为止，这个导通过程是在极短的时间内完成的，一般不超过几微秒，称为“触发控制电流Ig大得多的电流流过，因此，当晶闸管一经导通，控制极即使去掉控制电压，晶闸管仍然可保持导通。
当在晶闸管阳极与阴极间加反向电压时，VT1和VT2便都处于反向电压的作用下，它们都没有放大作用，这时即使加入控时，相当于两只三极管饱和导通，因此，阳极与阴极间的管压降为1V左右。
综上所述，可以得到下述结论:
(1) 起始时若控制极不加电压，则不论阳极加正向电压还是反向电压晶闸管都不导通，这说明晶闸管具有正、反向阻断晶闸管的阳极和控制极相对于阴极同时加正向电压时晶闸管才导通，这是晶闸管导通必须同时具备的两个条件。
(2) 在晶闸管导通之后，其控制极就失去控制作用，欲使晶闸管恢复阻断状态，必须把阳极正向电压降低到一定的数值
伏安特性
晶闸管的阳极电压与阳极电流的关系，称为晶闸管的伏安特性，。晶闸管的阳极与阴极间加上正向电压时,很小的电流（称为正向漏电流）流过，晶闸管阳极与阴极间表现出很大的电阻，处于截止状态（称为正向阻断状态），简称断态。
当阳极电压上升到某一数值时，晶闸管突然由阻断状态转化为导通状态，简称通态。