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4．已知放大电路中三个管脚对地的电位是（1）0V；（2）；
（3）6V，则该三极管是（ ）型。
A：NPN B：PNP C：硅管 D：锗管
25．放大器采用射极偏置改善工作点偏离的是（ ）。
A：电流正反馈 B：电流负反馈 C：电压正反馈 D：电压负反馈
26．可控硅的正向阻断是（ ）。
A：可控硅加小向阳极电压，控制极加反向电压 B：可控大地加
厂向阳极电压，控制极不加反向电压
C：可控硅加反向阳极电压，控制极加正向电压 D：可控硅加反
向阳极电压，控制极加反向电压
27．一三相对称负载，三角形连接，已知：相电流 IBC=10∠-10°
安，则线电流 I=（ ）安。
A：∠-40° B：10∠-160° C：10∠80° D：∠80°28．单相半波可控硅整流电路，决定控制角的元件是（ ）。
A：U2 B：U2/2 C： U2
29．所有条件都具备，才有肯定的结论，这是（ ）逻辑。
A：与非 B：或非 C：与 D：非
30．单相桥式半控整流电路，通过改变控制角，负载电压可在（ ）
之间连续可调。
A：0~ B：0~ C：0~U2 D：0~
31．已知：I=-，其电流相量 I=（ ）A。
A：∠0° B：∠180° C：10∠0° D：10∠-180°
32．可控硅导通条件是( )。
A：阳极与阴极加正向电压，控制极与阳极加反向电压 B：阳极
与阴极加正向电压，控制极与阴极加正向电压
C：阳极与阴极加反向电压，控制极与阳极加反向电压 D：阳极
与阳极加反向电压，控制极与阴极加正向电压
33．晶体三极管发射结反偏置、集电结处于偏置，晶体三极管处
于（ ）工作状态。
A：放大 B：截止 C：饱和 D：开路
34．晶体三极管发射结处于正偏，集电结处反偏，则三极管的工
作状态为（ ）。
A：饱和 B：截止 C：放大 D：导通
35．已知 e=311sin (314t+5°)V，其相量 E=（ ）。
A：311∠5° B：220∠5° C：220∠+185° D：220∠+175°36．戴维南定理只适用于（ ）。
A：外部为非线性电路 B：外部为线性电路 C：内部为线性含源
电路 D：内部电路为非线性含源电路
37．可控硅有（ ）PN 结组成。
A：1 个 B：2 个 C：3 个 D：4 个
38．电容器的电流 I=CΔ UC/Δ t，当 UC 增大时，电容器为（ ）。
A：充电过程并吸取电能转换为电场能 B：充电过程并吸取电场
能转换为电能
C：放电过程并由电场能释放为电能 D：放电过程并由电能释放
为电场能
39．晶体三极管处于放大工作状态，测得集电极电位为 6V，基
极电位 ，发射极接地，则该三极管为（ ）型。
A：NPN B：PNP C：N D：P
40．已知：电流I=6+j8，电源频率为 50Hz，其瞬时值表达式为 I=
（ ）。
A：10 sin (314t+°) B：10 sin (314t+°)
C：10sin (314t+5