文档介绍：模拟电子技术基础3
汇报人：
2、NMOS增强型工作原理（续4）
（5）预夹断后继续加大VDS，沟道夹断，ID恒定
**漏源增加的电压降在夹断区**
NMOS工作原理2
3、N沟道耗尽型MOSFET
（1）SI
模拟电子技术基础3
汇报人：
2、NMOS增强型工作原理（续4）
（5）预夹断后继续加大VDS，沟道夹断，ID恒定
**漏源增加的电压降在夹断区**
NMOS工作原理2
3、N沟道耗尽型MOSFET
（1）SIO2中预埋正离子
（3）υGS负到V GS(off)(VP示)，沟道消失
（2）VGS=0时就存在内建电场，形成沟道
4、结型场效应管(JFET)
（1）N沟道和P沟道JFET结构与符号
**JFET正常工作时，两个PN结必须反偏 **
**NJFET **
**PJFET **
（2）N沟道JFET的工作原理
**VDD=0，沟道宽度随VGG增而窄，沟道R增，ID降，耗尽型**
（2）N沟道JFET的工作原理（续1）
**VGG不变，VDD增加，沟道上窄下宽ID线性增，直至预夹断**
**初始沟道宽度由VGG决定**
（2）N沟道JFET的工作原理（续2）
**VGG不变，预夹断后VDD增加，增加的电压降在沟道上，ID不变**
5、场效应管类型
（1）绝缘栅型（Insulated Gate Type） FET
N沟道（Channel）增强（Enhancement）型MOS
N沟道耗尽（Depletion）型MOS
P沟道增强型MOS
P沟道耗尽型 MOS
（2）结型（Junction Type）JFET
N沟道(耗尽Depletion)型JFET
P沟道(耗尽Depletion)型JFET
场效应管的典型应用
输出回路电流由输入电压控制
输入回路产生电压VGS
三端器件构成2个回路
场效应管的主要半导体机理
——电压控制电流源作用
1、增强型NMOS场效应管伏安特性
（1）增强型NMOS管转移特性
**场效应管是电压控制型器件***
场效应晶体管特性参数
** IDO漏极电流当VGS =2VT ***
（2）增强型NMOS管输出特性
(a)截止区：
(b)可变电阻区(?)：
**VDS较小，沟道未夹断ID受其影响**
(c)放大区：
**VDS足够大沟道夹断，ID不随VDS变化**
1、增强型NMOS场效应管伏安特性（续1）
**IDSS，VGS=0时漏极电流**
2、耗尽型MOS场效应管和结型FET伏安特性
**转移特性**
**输出特性**
3、场效应管的主要参数
(1)直流参数
增强型管开启电压V GS(th)(VT)
耗尽型管夹断电压V GS(off)(VP)
耗尽型管在VGS=0时的饱和区漏极电流IDSS
VDS=0时，栅源电压VGS与栅极电流IG之比----直流输入电阻R GS(DC)
(2)交流参数
低频跨导(互导)gm
交流输出电阻rds
(3)极限参数
最大漏源电压V(BR)DS：漏极附近发生雪崩击穿时的VDS
最大栅源电压V(BR)GS：栅极与源极间PN结的反向击穿电压
最大耗散功率P
3、场效应管工作状态估算
例1:VDD=18V,Rs=1KΩ，Rd=3KΩ，Rg=3MΩ，耗尽型MOS管的VP=-5V,IDSS=10mA。试用估算法求电路的静态工作点
例2:分压式自偏压共源放大电路中，已知转移特性，VDD=15V,Rd=5kΩ,Rs=,R1=200kΩ，R2=300kΩ，Rg=10MΩ，负载电阻RL=5kΩ，并设电容C1、C2和Cs足够大。已知场效应管的特性曲线试用图解法分析静态工作点Q，估算Q点上场效应管的跨导gm
（1）输入回路方程
VGSQ=
IDQ=1mA
（2）输出回路方程
例5：分析图示VGS=2/4/6/8/10V/12V时，场效应管工作区
(1)由图可知VT=4V, 当VGS<VT工作在截止