文档介绍：模电场效应光
2. 输出特性曲线
图1--5 N沟道结型场效应管的输出特性
根据工作情况, 输出特性可划分为4个区域, 即: 可变电阻区、 恒流区、击穿区和截止区。
1. 可变电阻区
当uDS很小，|u模电场效应光
2. 输出特性曲线
图1--5 N沟道结型场效应管的输出特性
根据工作情况, 输出特性可划分为4个区域, 即: 可变电阻区、 恒流区、击穿区和截止区。
1. 可变电阻区
当uDS很小，|uDS-uGS|<|UP|时，即预夹断前(如图所示)，uDS的变化直接影响整个沟道的电场强度，从而影响iD的大小。所以在此区域，随着uDS的增大， iD增大很快。
与双极型晶体管不同，在JFET中，栅源电压uGS对iD上升的斜率影响较大，随着|uGS|增大，曲线斜率变小，说明JFET的输出电阻变大。如图1--5所示 。
恒流区相当于双极型晶体管的放大区。其主要特征为：
(1)当UP<UGS<0时，uGS变化，曲线平移，iD与uGS符合平方律关系， uGS对iD的控制能力很强。
(2)UGS固定，uDS增大，iD增大极小。说明在恒流区，uDS对iD的控制能力很弱。这是因为，当uDS较大时，UDG增大，靠近漏区的PN结局部变厚，当
|uDS-uGS|>|UP|
 时，沟道在漏极附近被局部夹断(称为预夹断)，如图所示。此后， uDS再增大，电压主要降到局部夹断区，而对整个沟道的导电能力影响不大。所以uDS的变化对iD影响很小。
3. 截止区
当|UGS|>|UP|时，沟道被全部夹断，iD=0，故此区为截止区。若利用JFET作为开关，则工作在截止区，即相当于开关打开。
随着uDS增大，靠近漏区的PN结反偏电压uDG(=uDS-uGS)也随之增大
绝缘栅场效应管
一. N沟道增强型MOS场效应管
1. 结构
图 1-6 N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图
2. 工作原理
图 1-7 UGS＞UT时形成导电沟道
ID0是uGS=2UT时的iD
3. 特性曲线
图1-8 N沟道增强型MOS场效应管的特性曲线
二. N沟道耗尽型MOS场效应管
图 1-9 N沟道耗尽型MOS管的结构示意图
图 1-10 N沟道耗尽型MOS场效应管的特性曲线
图 3-11 MOS场效应管电路符号
表3-1 各种场效应管的符号和特性曲线
表1-1
续表
场效应管的主要参数
一. 直流参数
1. 饱和漏极电流IDSS （耗尽型和结型）
定义是当栅源之间的电压UGS等于零, 而漏、源之间的电压UDS大于夹断电压UP时对应的漏极电流。
2. 夹断电压UP （耗尽型和结型）
其定义为当UDS一定时,使ID减小到某一个微小电流(如50μA)时所需的UGS值。
3. 开启电压UT (增强型)
UT是增强型场效应管的重要参数, 它的定义是当UDS一定时, 漏极电流ID达到某一数值(例如10μA)时所需加的UGS值。
4. 直流输入电阻RGS
RGS是栅、源之间所加电压与产生的栅极电流之比。由于栅极几乎不索取电流, 因此输入电阻很高。
结型为106 Ω以上, MOS管可达1010Ω以上。
二. 交流参数
1. 低频跨导gm
跨导gm的单位是mA/V。它的值可由转移特性或输出特性求得。
三. 极限参数
1. 漏极最大允许耗散功率PDm
PDm与ID、UDS有如下关系:
这部分功率将转化为热能, 使管子的温度升高。PDm决定于场效应管允许的最高温升。
、源间击穿电压U（BR）DS
在场效应管输出特性曲线上, 当漏极电流ID急剧上升产生雪崩击穿时的UDS。工作时外加在漏、源之间的电压不得超过此值。
3. 栅源间击穿电压U（BR）GS
结型场效应管正常工作时, 栅、源之间的PN结处于反向偏置状态, 若UGS过高, PN结将被击穿。
对于MOS场效应管, 由于栅极与沟道之间有一层很薄的二氧化硅绝缘层, 当UGS过高时, 可能将SiO2绝缘层击穿, 使栅极与衬底发生短路。这种击穿不同于PN结击穿, 而和电容器击穿的情况类似, 属于破坏性击穿, 即栅、 源间发生击穿, MOS管立即被损坏。
场效应管的特点
(