文档介绍：半導體製造業空氣污染管制及排放標準
中華民國八十八年一月六日（八七）環署空字第○○八七五九三號令訂定發布全文十條
中華民國八十八年四月七日（八八）環署空字第○○一九四一八號令修正發布第一條、第八條條文
中華民國九十一年十月十六日行政院：
污染防制設備削減量=E-Eo；單位為kg/hr。
排放削減率=（E-Eo）/E×100%；單位為％。
E：經密閉排氣系統進入污染防制設備前之氣狀污染物質量流率，單位為kg/hr。
Eo（排放量）：經污染防制設備後逕排大氣之氣狀污染物質量流率，單位為kg/hr。
十一、潤濕因子：洗滌循環水量／（填充物比表面積×洗滌塔填充段水平截面積），單位為m2/hr。
十二、洗滌循環水量：濕式洗滌設備內部流過填充物之洗滌水體積流量，單位為m3/hr。
十三、填充物比表面積：濕式洗滌設備之填充物單位體積內所能提供之氣液接觸面積，單位為m2/m3。
十四、洗滌塔填充段水平截面積：濕式洗滌設備內部裝載填充物部份之水平橫截面積，單位為m2。
十五、流量計：任何可直接或間接測得廢氣排放體積流量之設施。
十六、每季有效監測率：（每季污染源操作小時數-每季污染源操作期間連續自動監測器失效小時數）／每季污染源操作小時數。
第 三 條 本標準適用於半導體製造業。但原物料年用量小於下表所列者，該項物質不適用本標準之規定：
原 物 料
年 用 量
揮發性有機物
一七○○公斤／年
三***乙烯
六○公斤／年
***
一七○○公斤／年
硫酸
三○○公斤／年
***
一七○○公斤／年
磷酸
一七○○公斤／年
氫***酸
一二○○公斤／年
第 四 條 半導體製造業產生之空氣污染物應由密閉排氣系統導入污染防制設備，並處理至符合下表規定後始得排放。
空氣污染物
排 放 標 準
揮發性有機物
排放削減率應大於九○％或工廠總排放量應小於○．六 kg/hr（以甲烷為計算基準）。
三***乙烯
排放削減率應大於九○％或工廠總排放量應小於○．○二kg/hr。
***、***、磷酸及氫***酸
各污染物排放削減率應大於九十五％或各污染物工廠總排放量應小於○．六kg/hr。
硫酸
排放削減率應大於九十五％或工廠總排放量應小於○．一kg/hr。
***、***、磷酸、氫***酸及硫酸等之廢氣若以濕式洗滌設備處理，無法證明符合前項標準時，其控制條件應符合下列之規定：
一、設備洗滌循環水槽之pH值應大於七、潤濕因子應大於○．一m2/hr、填充段空塔滯留時間應大於○．五秒及填充物比表面積應大於九○m2/m3。
二、其他可證明同等處理效果或較優之控制條件向中央主管機關申請認可者。
第 五 條 依前條規定收集至污染防制設備處理之廢氣，其流量計及空氣污染物濃度連續自動監測器設置規定如下：
一、污染防制設備之廢氣導入處或排放口應設置流量計。
二、揮發性有機物年用量大於五○噸之工廠其揮發性有機物防制設備之廢氣排放口應設置濃度監測器。
三、揮發性有機物工廠總排放量大於等於○．六kg/hr者，其揮發性有機物防制設備之廢氣導入處及排放口應設置濃度監測器。
四、流量計及濃度監測器之有效每季監測率應大於八○％，每年至少以標準檢測方法比測一次，比測時間每次至少二小時，所設置之流量計及濃度監測器所得之結果應以上次比測結果修