文档介绍：TVS管选型指导
TVS管选型指导
TVS瞬态电压抑制二极管原理应用特性
TVS—瞬态电压抑制器的简称，英文全称Transient Voltage Suppressor Diode。 TV是一种二极管形式的限压型过压保护通过的最大功率值。这是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流。对于手持设备，一般来说 500W 的 TVS 就足够了。最大峰值脉冲功耗 PM 是 TVS 能承受的最大峰值脉冲功耗值。在给定的最大箝位电压下，功耗 PM 越大，其浪涌电流的承受能力越大。在给定的功耗 PM 下，箝位电压 VC 越低，其浪涌电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且TVS 所能承受的瞬态脉冲是不重复的，器件规定的脉冲重复频率 ( 持续时间与间歇时间之比 ) 为 % 。如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏TVS。
结电容Cj ----Junction Capacitance
主要是指TVS连接GND和I/O时，具有的电容值。Cd为ESD/TVS器件的引脚寄生电容，通信速率越高，线路上使用的ESD保护 器件的结电容要越低，否则将破坏数据信号。如图所示，PRTR5V0U2X的Cd远低于1pf，。还有部分作为高速IO上保护的TVS，还会给出insert loss @ Freq。以便确认是否能作为保护器件。
电容量C是由 TVS 雪崩结截面决定的，是在特定的 1MHz 频率下测得的。 C 的大小与 TVS 的电流承受能力成正比， C 太大将使信号衰减。因此， C 是数据接口电路选用 TVS 的重要参数。电容对于数据、信号频率越高的回路，二极管的电容对电路的干扰越大，形成噪声或衰减信号强度，因此需要根据回路的特性来决定所选器件的电容范围。高频回路一般选择电容应尽量小
( 如 LCTVS 、低电容 TVS ，电容不大于 3pF) ，而对电容要求不高的回路电容选择可高于 40pF。
测试电流IT--Test Current
在这个电流值下规定器件的反向击穿电压值器件的反向击穿电压值。
单向保护和双向保护
单向保护器件仅能对正脉冲或者负脉冲进行防护，而双向保护器件一端接要保护的线路，一端接地，无论来自反向还是来自正向的ESD脉冲均被释放，更有效地保护了IC。
单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同反向击穿拐点处近似“直角”的硬击穿为典型的PN结雪崩。从击穿点到Vc值所对应的曲线段表明当有瞬时过压脉冲时器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值并保持在这一水平上。
双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性正反两面击穿电压的对称关系为≤VBR(正)/VBR (反) ≤。一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉。
直流保护一般选用单向TVS二极管，交流保护一般选用双向TVS二极管，多路保护选用TVS阵列器件，大功率保护选用TVS专用保护模块。特殊情况，如：RS-485和RS-232保护可选用双向TVS二极管或TVS阵列。
Littelfuse_TVS Diode_SMBJ Datasheet
温度考虑
瞬态电压抑制器可以在－55℃～+150℃之间工作。如果需要TVS在一个变化的温度工作，由于其反向漏电流ID是随增加而增大；功耗随TVS结温增加而下降，从
+25℃～+175℃，大约线性下降50％雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响
TVS选型总结
对这些主要的参数了解后基本上就能知道如何选择一个适合自己电路的TVS了。
Vc、Ipp反映了TVS器件的浪涌抑制能力。当TVS承受额定的瞬时峰值脉冲电流Ipp时，可能在器件上的瞬时最大电压值即最大箝位电压为Vc。此时，如果脉冲时间为规定的标准值，则TVS的最大峰值脉冲功率为：Ppp=Vc*Ipp。因此在选用TVS前，最好对线路中产生的脉冲类型有大致的了解，是单脉冲，还是复脉冲，脉冲的上升时间，脉宽，峰值等，以便确定Vc，Ipp，PM。VC不能大于被保护回路的可承受极限电压，否则器件面临被损伤的危险。
VRWM应等于或略高于电路的正常工作电压，确保TVS的接入不会影响到正常的工作。在交流线路，则需要根据正常工作电压的squar（2）（）倍，也就是峰值来确定。
VBR不能小于电路的最大允许工作电压。否则TVS进入雪崩，漏电流增大，影响电路工作。
如果作为IO脚保护，需要认真研究Cj和insert los