GBT1555-1997半导体单晶晶向测定方法.pdf

文档介绍：门兰旨
前 ****br/> 本标准等效采用 《半导体单晶晶向测定方法》，对 《表面。该方法的精度低于�射线衍射法，但设备要求
不那么复杂。
方法 � �射线衍射定向法
� 方法提要
��� 以三维周期性晶体结构排列的单晶的原子，其晶体可以看作原子排列于空间垂直距离为�的一
系列平行平面所形成，当一束平行的单色�射线射入该平面上，且 �射线照在相邻平面之间的光程差
为其波长的整数倍即�倍时，就会产生衍射（反射）。利用计数器探测衍射线，根据其出现的位置即可确
定单晶的晶向，如图 �所示。当入射光束与反射平面之间夹角 ���射线波长 �、晶面间距�及衍射级数
�同时满足下面布喇格定律取值时，�射线衍射光束强度将达到最大值：
������������������������＝ ������ “·“·“·”·“一 “··”“一 “�������
��对于立方晶胞结构：
�������������������� �����＋ ��＋ ���������������������������������������������
���������������������二 �����＋ ��＋ ������������� ���������������������������������
国家技术监督局 �������一��批准 ����一��一��实施���� ����一 ����
式中：�为晶格常数，�����为反射平面的密勒指数。
��对于硅、锗等�族半导体和***化稼及其其他卜 �族半导体，通常可观察到的反射一般遵循以下规
则：���和 �必须具有一致的奇偶性，并且当其全为偶数时，���十�一定能被�除尽。表 �列出了硅、锗
及***化稼单晶低指数反射面对于铜靶衍射的�角取值。
��� 通常，单晶的横截面或单晶切割片表面与某一低指数结晶平面如〔���〕或者〔���〕平面会有几度的
偏离，用结晶平面与机械加工平面的最大角度偏差加以体现，并可以通过测量两个相互垂直的偏差分量
而获得