文档介绍：低压差稳压器的制作方法
专利名称：低压差稳压器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种低压差稳压器，且特别涉及一种具有快速暂态响应的低压差稳压
O
背景技术：
传统常见的电压转换电路有两种交换式稳压器(switching regu差放大器102 依据参考电压Vref与一反馈电压Vf于其输出端产生一控制电压Vcon至功率晶体管Pl的栅极，以调整输出电压Vout的电压电平。分压单元104对输出电压Vout进行分压以产生反馈电压Vf。电压及温度补偿模块108用以产生补偿偏压Ne，并依据电源电压VDD以及环境温度的变化调整补偿偏压Vc的电压大小，其中补偿偏压Vc的电压大小与电源电压VDD 的
大小以及环境温度的高低成反比。另外，补偿控制单元106用以检测控制电压Vcon以及输出电压Vout的电压电平变化，并依据控制电压Vcon、输出电压Vout以及补偿偏压Vc输出一补偿控制信号Sc至补偿偏压电流源112。补偿偏压电流源112则依据补偿控制信号&而提供一额外的补偿偏压电流Ic给低压差稳压器100，以加快低压差稳压器100的负载暂态响应，使低压差稳压器 100的输出电压Vout可快速地被拉回稳定的状态。进一步来说，图1实施例的低压差稳压器100可以图2实施例的方式来实施。图2 为本发明另一实施例的低压差稳压器的示意图。请参照图2，在本实施例中误差放大器102 包括P型晶体管Q5、Q6以及N型晶体管M5、M6，其中P型晶体管Q5的栅极耦接P型晶体管 Q6的栅极，P型晶体管Q5的源极与漏极分别耦接电源电压VDD以及功率晶体管Pl的栅极。 N型晶体管M5的栅极耦接参考电压Vref，其漏极耦接P型晶体管Q5的漏极，N型晶体管M5 的源极则耦接偏压电流源110与补偿偏压电流源112。P型晶体管Q6的源极与漏极分别耦接电源电压VDD以及N型晶体管M6的漏极，且P型晶体管Q6的栅极与漏极相互耦接。另外，N型晶体管M6的源极耦接至N型晶体管M5的源极，N型晶体管M6的栅极则耦接至分压单元104。误差放大器102利用N型晶体管M5、M6分别接收参考电压Vref与分压单元104 所产生的反馈电压Vf，而于P型晶体管Q5与N型晶体管M5的共同接点输出控制电压Vcon 至功率晶体管Pl的栅极，以控制功率晶体管Pl于其漏极输出输出电压Vout。分压单元104包括电阻Rl以及电阻R2。电阻Rl以及R2串接于功率晶体管Pl的漏极与接地GND之间，且电阻Rl以及R2的共同接点耦接N型晶体管M6的栅极，以输出反馈电压Vf至N型晶体管M6。补偿偏压电流源112则包括一 N型晶体管N3，其漏极与源极分别耦接N型晶体管M5、M6的共同接点与接地GND，N型晶体管N3的栅极则耦接至补偿控制单元106。值得注意的是，上述的误差放大器102、分压单元104、偏压电流源110以及补偿偏压电流源112仅为一示范性的实施例，实际应用上并不以此为限。另外，补偿控制单元106则包括压降检测单元202、压降检测单元204以及补偿控制信号产生单元206。在本实施例中，压降检测单元202包括P型晶体管Q2、Q3以及N型晶体管M2、M3。压降检测单元204包括P型晶体管Q4以及N型晶体管M4。补偿控制信号产生单元206则包括P型晶体管Ql以及N型晶体管Ml。其中P型晶体管Q2的栅极耦接功率晶体管Pl的栅极