文档介绍：可控硅参数名词解释(精)
可控硅参数名词解释(精)
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可控硅参数名词解释(精)
晶闸管参数名词解释
反向重复峰值电压 (VRRM : 反向阻断晶闸管两端出现的重复最大瞬时值反向电压 ,包 重复峰值电压
(VDRM 或反向重复峰值电压 (VRRM ; c 门极断路。
3 测量程序 :A 被测器件分别在 25℃和 125℃下 ,调节交流电压源 ,使断态电压达到断态 重复峰值电压 ,由示波器显示的断态电流即为所测断态重复峰值电流
(IDRM 。
B 被测器件主电极的极性交换 ,重复上述操作即可测得反向重复峰值电流 (IRRM 。 11. 峰值通态电压 (VTM : 晶闸管通以 π倍或规定倍数额定通态平均电流值时的瞬态峰值 电压。
1 测试目的 :在规定条件下 ,用脉冲法测量晶闸管的通态峰值电压。
2 测试条件 :a 结温 :出厂试验为 25℃,型式试验为 25℃和 125℃; b 通态峰值电流 :
通 态平均电流的 π倍; c 电流脉冲可以使单次的 , 也可以是发热效应能忽略的低重复频率脉冲 ; d 电流脉冲宽度应足够宽 ,以使被测器件完全开通。
3 测量程序 :a 电源电压和门极触发电压先调至零。 b 被测器件按规定压力和接线法接入 电路中。结温调至规定值 ,门极电路调至规定的偏置条件。 C 电源电压由零增加 ,通过 L , C 振荡 , 使流过被测器件的脉冲电流整定到规定值 , 此时示波器上显示的数值即为所测通态峰 值电压。
门槛电压 :由通态特性近似直线与电压轴的交点确定的通态电压值。
斜率电阻 :由通态特性近似直线的斜率电阻确定的电阻值。
延迟时间 :在用门极脉冲使晶闸管从断态转入通态的过程中 ,从门极脉冲前沿的规定点 起,至主电压下降到接近初始值的某一规定值为止的时间间隔。
可控硅参数名词解释(精)
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可控硅参数名词解释(精)
关断时间 (tq :外部使主电路转换动作后 ,从主电流下降至零值瞬间起 ,到晶闸管能 承受规定的断态电压而不致过零开通的时间间隔。
1 测试目的 :在规定条件下测量晶反向阻断三极闸管的关断时间。
2 测试条件 :a 通电前结温 :125℃ ; b 关断前通态电流 :波形优选位矩形波 ,峰值优选 为 3 ITAV, 上升率 di/dt ≤ 30A/us;通c态电流持续时间 :按被测器件完全导通而发热尽可能 小确定 ,数百微秒至几毫秒 ; d 关断期间施加反向电压幅值为 100V ,最小值不小于 20V ; e 再加断态电压幅值 VDM=2/3VDRM, 其上升率 dv/dt=30V/us;f 重复频
率 f ≤ 50HZ。
3 测量程序 :a 被测器件结温控制在 125℃ ; b 调整通态电流电源使被测器件流过规定的电 流 ITM , 切断门极电流 ,持续规定的时间 ; c 调整反向电压电源 ,对被测器件施加幅值和最 小值的反向电压 ,使其阳极电流反向并可靠地关断 ; d 在双迹示波器上观察 ,调整规定值再 加断态电压施加时间