1 / 2
文档名称:

一种电容触控屏及其制造工艺的制作方法.docx

格式:docx   大小:17KB   页数:2页
下载后只包含 1 个 DOCX 格式的文档,没有任何的图纸或源代码,查看文件列表

如果您已付费下载过本站文档,您可以点这里二次下载

文档介绍:一种电容触控屏及其制造工艺的制作方法
专利名称:一种电容触控屏及其制造工艺的制作方法
技术领域:
本发明涉及电容触控屏结构及其生产工艺。
背景技术:
目前市场上生产的触控屏主要是电容触控屏,它主要分为表面式和投射式两种,其中投射式°C持续时间8_10min ;蚀刻后硬烤温度220-240°C持续时间 30-35min。本发明的优点在于利用该生产工艺制作触摸屏的做黑膜(BM)制成曝光后只蚀刻不剥膜,既能达到低眩光,又能减少一道金属光刻制程和剥离制程,提高产出良率。同时该电容触控屏结构利用黑膜(BM)来遮挡跳跃导体图层产生的高眩光,提高了外观水平。
下面对本发明说明书中每幅附图表达的内容及图中的标记作简要说明图I为本发明电容触控屏剖视图;图2为传统工艺电容触控屏剖视图;上述图中的标记均为1、黑膜图层;2、树脂保护层;3、跳跃导体图层;4、绝缘架桥层;5、IT0图层;6、基板;7、防静电ITO层;8、二氧化硅保护层;9、金属线路。
具体实施例方式参见图I可知,电容触控屏设有玻璃基板6,基板一面设有ITO图层5,基板6该面四周围有金属线路9,在ITO图层每条线路外包裹有POC绝缘架桥层4,绝缘架桥层4外覆盖有跳跃导体图层3,跳跃导体图层3可采用ITO或者金属导电材料作为涂层,在跳跃导体图层3外还覆盖有黑膜(BM)图层1,该黑膜图层I用来遮挡金属(mo/al/mo)跳跃导体带来的眩光。上述I TO图层5、绝缘架桥层4、跳跃导体图层3和黑膜图层I的图案结构相同并相互重叠构成电容触控屏的触控部。且跳跃导体图层3和黑膜图层I的图案完全重叠,零偏移,有利高效的完全遮挡金属(mo/al/mo)跳跃导体带来的眩光。在触控部覆盖树脂保护层2,基板6背面依次设有防静电ITO层7和二氧化硅保护层8。上述电容触控屏的触控部制造工艺如下a、采用真空磁控溅射方法镀制ITO膜;
b、之后制作ITO图层5,这里制作ITO图层5为常规手段,即采用触控屏的触控部黄光光刻技术,对ITO膜进行涂布,烘烤,曝光、显影,蚀刻,剥离工艺处理,制作成ITO图层5 ;C、之后在ITO图层5上制作一层绝缘架桥层4,这里制作缘架桥层4也是常规手段,即采用触控屏的触控部黄光光刻技术,依次进行涂布,烘烤,曝光、显影,硬烤工艺处理,制作绝缘架桥层4 ;d、之后利用真空磁控溅射镀膜机在制作好的绝缘架桥层4外镀一层金属导电材料或ITO材料,并在上述金属导电材料或ITO材料外涂一层黑膜,然后使用传统工艺中制作跳跃导体图层3的掩膜板,并利用触控屏的触控部黄光光刻技术,将这层导电材料和黑膜制一起做成所需图形,即制成跳跃导体图层3和黑膜图层I。该黄光光刻技术包括涂布,烘烤,曝光、显影,蚀刻,仅去除跳跃导体图层3传统制作工艺中的剥离工艺,其他黄光光刻技术工艺步骤与制作跳跃导体图层3传统制作工艺相同,将原先两个图层制作工序合二为一,从而节约了制作步骤,
也提高了产品质量。步骤d中,在进行黄光光刻技术的曝光工艺时,传统曝光机能量控制在100-150mj/ cm2左右,这样曝光后的导电材料间会残留黑膜导致短路;为了避免导电材料图形线之间有黑色光阻及金属导体残留,导致机能短路不良,采用过曝光的掩膜板,即曝光工艺中使用的掩膜板上设计图形的尺寸成比例的大于产品实际标准值6-7um,通过调节曝光机能由原来100-150 mj

分享好友

预览全文

一种电容触控屏及其制造工艺的制作方法.docx

上传人:开心果 2022/6/28 文件大小:17 KB

下载得到文件列表

一种电容触控屏及其制造工艺的制作方法.docx

相关文档