文档介绍：Tan Yueheng Hengyang normal university Depatrment of P.& 模拟电子技术 3 二极管及其基本电路 半导体的基本知识 Tan Yueheng Hengyang normal university Depatrment of P.& 模拟电子技术半导体材料半导体: 导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。常用的半导体材料: 锗、硅、***化镓等。半导体的特性: 热敏、光敏、掺杂等。 Tan Yueheng Hengyang normal university Depatrment of P.& 模拟电子技术本征半导体 Ge Si 本征半导体: 完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 Tan Yueheng Hengyang normal university Depatrment of P.& 模拟电子技术半导体的共价键结构+4 +4 +4 +4 形成共价键后,每个原子的最外层电子是八个,构成稳定结构。 Tan Yueheng Hengyang normal university Depatrment of P.& 模拟电子技术本征激发本征激发: 常温下,由于热激发使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为“自由电子”,同时在原来的共价键中留下一个空位, 称为“空穴”。 Tan Yueheng Hengyang normal university Depatrment of P.& 模拟电子技术+4 +4 +4 +4 自由电子空穴自由电子与空穴“电子空穴对” Tan Yueheng Hengyang normal university Depatrment of P.& 模拟电子技术+4 +4 +4 +4 自由电子与空穴复合 Tan Yueheng Hengyang normal university Depatrment of P.& 模拟电子技术空穴的运动+4 +4 +4 +4 原位置新位置可把空穴看成一个带正电的粒子,和自由电子一样参与导电( 载流子)。 Tan Yueheng Hengyang normal university Depatrment of P.& 模拟电子技术本征半导体的导电特性本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即“电子空穴对”。温度越高,载流子的浓度越高,本征半导体的导电能力越强。半导体的导电能力取决于载流子的浓度, 但本征激发产生的载流子浓度很低。 Tan Yueheng Hengyang normal university Depatrment of P.& 模拟电子技术杂质半导体在本征半导体中掺入微量的杂质,会使半导体的导电性能发生显著的变化。其原因是掺杂后的半导体,某种载流子的浓度会大大增加。使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为 N型半导体(电子型半导体),使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为 P型半导体(空穴型半导体)。