文档介绍：------------------------------------------------------------------------------------------------ —————————————————————————————————————— 6. 晶体管 晶体管半导体是一种导电能力介于导体和绝缘体之间的物质, 独特性能就是因为它的电阻率因温度、搀杂、和光照会产生显著变化。一般利用半导体材料制成的半导体器件都是晶体结构, 所以称之为晶体管( 二极管、三极管)。 二极管 1 、二极管(晶体管)的命名方法国内晶体二极管(三极管)型号的命名方法 2AP4: 2 二极管, A:N 型锗材料,P普通管,9序号 2CK54: 2 二极管, C:N 型硅材料, K 开关管, 54 序号 3AX81: 3 三极管, A:PNP 型锗材料, X 低频小功率, 81 序号 3DD303C: 3 三极管, D:NPN 型硅材料, D 低频大功率,303 序号,C 区别代号 2. 二极管标示方法: 二极管结构与电路符号 3. 几种普通的二极管①整流二极管:面接触型,因为 PN 结面较大,能承受较大的正向电流和高反向用,所以不能用于检波②检波二极管: 作用: 把调制在高频电磁波上的低频信号检取出------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————来。这样就要求特性特殊参数:检波效率= 直流输出电压/ 输入信号电压峰值× 100% ③开关管: 利用二极管的单向导电性, 正偏时导通, 反偏时截止。开关时间: 开通时间: 从截止到导通的时间反向恢复时间:从导通到截止的时间开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高, 广泛用于自动控制电路④ 1N 系列塑封( 玻封) 硅二极管(美国型号命名的管子) 塑封( 玻封) 硅整流二极管、高速开关硅二极管,由于体积小、价格低、性能优良正迅速取代 2CZ11 、 2CZ12 系列的整流管和 2CK 系列开关管 1N 系列整流二极管参数 4. 二极管的伏安特性典型的二极管的伏安特性如图所示。曲线可分为两部分: 加正向偏置电压时的特性称为正向特性, 加反向偏置电压时的特性称为反向特性。 a. 正向特性正向电压较小时,正向电流几乎为零。这是因为加在 PN 结上的外电压太小, 不足以克服内电场对扩散运动的阻碍作用, 这时二极管实际没有导通, 对外呈现很大的电阻, 这一部分称为正向特性的“死区”,死区以后的正向特性上升很快,正向电压超过某一数值后,电流才显著增大,这个电压值叫导通电压(门坎电压 Uon )。------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————室温下, 一般来说, 硅管 Uon 大约为 , 锗管 Uon 大约为 , 当所加电压大于 Uon 时,内电场被大大削弱,二极管才真正处于导通状态,并呈现出很小的电阻(流过二极管的电流有较大的变化,而其两端压降变化小)。一般来说, 硅管导通压降保持在大约 ~ , 锗管导通压降保持在大约 ~ 。 b. 反向特性在反向偏置电压下, 内外电场方向一致, 少数载流子的漂移很容易通过 PN 结形成反向饱和电流,由于少数载流子的数目很小(由本征激发引起) ,所以反向电流很小,且几乎不随电压增大而变化,但受温度影响较大。小功率硅管的反向电流一般小于 μA, 而锗管通常为几十μA。当反向电压增加到一定的大小( UBR : 反向击穿电压)时, 反向电流剧增, 发生反向击穿现象, 反向击穿电压一般在几十伏以上(高压管可为几千伏)。二极管被击穿后,由于反向电流很大,一般会造成“热击穿”, 不能恢复原来性能,即失效了。 c. 二极管的温度特性二极管对温度很敏感, 在室温附近, 温度每升高 1度, 正向压将减小 2~ ,温度每升高 10 度,反向电流约增加一倍。利用二极管的温度特性,可以用它来测量温度。------------------------------------------------------------------------------------------------ ———————————————————————————————————