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模电第3章二极管
第三章 理想二极管 结二极管端口特性 二极管正向特性建模 工作在反向击穿区域的二极管—齐纳二极管 整流电路 限幅电路与钳位电路 二极管的物理特性onal Experimental Teaching Demonstration Center
同理,假设两个二极管是导通的,那 么 VB 0且V 的电流 10 0 I D2 2mA … … … ① 5 B点的节点方程 …② 明显这不行能, D1截止,D2导通,则 I D 2 … ③ 节点B的电压 VB … … … ④ 因此D1符合截止的假设,最终结果 I 0,V … … … ⑤国家试验教学示范中心杭州电子科技高校电工电子试验中心 National Experimental Teaching Demonstration Center
I 2
0 ( 10) ,即，I 1mA 5
ID2ID2
6
10kΩ
B5kΩ 10 V
+ V -
10 V
含二极管的直流电路分析步骤 假定全部二极管开路； 推断每个二极管上的电压，正向导 通，反向截止； 画出二极管导通或截止的等效电路 进行分析。
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I+ D1 vD1 - B
ID2- vD2 + 5kΩ 10 V
ID2
10kΩ
D1
D2
ID2
10kΩ
B
+ V -
5kΩ 10 V 10 V
+ V -
8
10 V
VD 2 10 10 20V VD1 10V
D1 、D2都导通
ID2
10 1mA 10国家试验教学示范中心
10 I I D 2 1mA 5
V 0
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2. 结二极管端口特性正向偏置区域
v 0正向 压缩尺度
击穿区
反向偏置区域
扩 展 尺 度
v VZK
v 0二极管伏安特性
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正向偏置区i I S (ev nVT
v0 1)kT q
其中，IS:饱和电流，与结面积和温度有关；
VT:热电压，室温时典型值为25mV, VT k:波尔兹曼常数，-23J/K; T:热力学温度，273+摄氏温度； Q:电荷量，-19C
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n:1~2之间的常数，取决于二极管的材料和物理结构。 一般取 n= National Experimental Teaching Demonstration Center
正向偏置区For i I S (ev nVT
v0 1)I2
i
if i I S ,
i I S ev nVT
I1V2 nVT
For I1 I S e we have
V1 nVT
and I 2 I S e
V1
vV2
开启电压 导通电压
I2 e(V2 V1 ) / nVT I1
V2 V1 nVT ln
I2 I log 2 I1 I1
c. 开启电压 V= 导通电压 ~ 假定 VD(on) = 导通电压与温度有关：-2mV/C0国家试验教学示范中心杭州电子科技高校电工电子试验中心 National Experimental Teaching Demonstration Center
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反向偏置区： v 0For i I S (ev nVT
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