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模拟电子技术基础-知识点总结(同名7766).doc

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模拟电子技术基础-知识点总结(同名7766).doc

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文档介绍

文档介绍:模拟电子技术基础-知识点总结(同名7766)
模拟电子技术复****资料总结
第一章 半导体二极管

---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
---- UCEQ ),放大器将有最大的不失真输出电压。
六. 放大电路的等效电路法
静态分析
(1)静态工作点的近似估算
(2)Q点在放大区的条件
欲使Q点不进入饱和区,应满足RB>βRc 。
放大电路的动态分析
* 放大倍数

* 输入电阻
* 输出电阻
分压式稳定工作点共射
放大电路的等效电路法
1.静态分析
2.动态分析
*电压放大倍数
在Re两端并一电解电容Ce后
输入电阻
在Re两端并一电解电容Ce后
* 输出电阻
八. 共集电极基本放大电路
1.静态分析
2.动态分析
* 电压放大倍数
* 输入电阻
* 输出电阻
3. 电路特点
* 电压放大倍数为正,且略小于1,称为射极跟随器,简称射随器。
* 输入电阻高,输出电阻低。


第三章 场效应管及其基本放大电路
一. 结型场效应管( JFET )

2. 输出特性曲线
(可变电阻区、放大区、截止区、击穿区)
转移特性曲线
UP ----- 截止电压
二. 绝缘栅型场效应管(MOSFET)
分为增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两种。
结构示意图和电路符号
2. 特性曲线
*N-EMOS的输出特性曲线
* N-EMOS的转移特性曲线
式中,IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。
* N-DMOS的输出特性曲线
注意:uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP,此曲线表示式与结型场效应管一致。
三. 场效应管的主要参数




(表明场效应管是电压控制器件)
四. 场效应管的小信号等效模型
E-MOS 的跨导gm ---
五. 共源极基本放大电路

* 静态分析
动态分析
若带有Cs,则


* 静态分析
* 动态分析

若源极带有Cs,则


* 静态分析

* 动态分析


第四章 多级放大电路
级间耦合方式
1. 阻容耦合----各级静态工作点彼此独立;能有效地传输交流信号;体积小,成本低。但不便于集成,低频特性差。
2. 变压器耦合 ---各级静态工作点彼此独立,可以实现阻抗变换。体积大,成本高,无法采用集成工艺;不利于传输低频和高频信号。
3. 直接耦合----低频特性好,便于集成。各级静态工作点不独立,互相有影响。存在“零点漂移”现象。
*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时,静态工作点也随之变化,致使uo偏离初始值“零点”而作随机变动。
二. 单级放大电路的频率响应
1.中频段(fL≤f≤fH)
波特图---幅频曲线是20lgAusm=常数,相频曲线是φ=-180o。
2.低频段(f ≤fL)

3.高频段(f ≥fH)
4.完整的基本共射放大电路的频率特性
三. 分压式稳定工作点电路的频率响应
1.下限频率的估算

2.上限频率的估算
四. 多级放大电路的频率响应
1. 频响表达式
2. 波特图
第五章 功率放大电路
一. 功率放大电路的三种工作状态

导通角为360o,ICQ大,管耗大,效率低。

ICQ≈0, 导通角为180o,效率高,失真大。

导通角为180o~360o,效率较高,失真较大