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模拟电子技术基础-知识点总结(同名7766).doc

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文档介绍:模拟电子技术基础-知识点总结(同名7766)





模拟电子技术复习资料总结

第一章 半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---- UCEQ ),放大器将有最大的不失真输出电压。
六. 放大电路的等效电路法
静态分析
(1)静态工作点的近似估算





(2)Q点在放大区的条件
欲使Q点不进入饱和区,应满足RB>βRc 。
放大电路的动态分析

* 放大倍数

* 输入电阻

* 输出电阻

分压式稳定工作点共射
放大电路的等效电路法
1.静态分析








2.动态分析
*电压放大倍数

在Re两端并一电解电容Ce后

输入电阻

在Re两端并一电解电容Ce后

* 输出电阻

八. 共集电极基本放大电路
1.静态分析








2.动态分析
* 电压放大倍数




* 输入电阻

* 输出电阻

3. 电路特点
* 电压放大倍数为正,且略小于1,称为射极跟随器,简称射随器。
* 输入电阻高,输出电阻低。



第三章 场效应管及其基本放大电路
一. 结型场效应管( JFET )
1.结构示意图和电路符号


2. 输出特性曲线
(可变电阻区、放大区、截止区、击穿区)










转移特性曲线
UP ----- 截止电压




二. 绝缘栅型场效应管(MOSFET)
分为增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两种。
结构示意图和电路符号

2. 特性曲线
*N-EMOS的输出特性曲线

* N-EMOS的转移特性曲线
式中,IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。
* N-DMOS的输出特性曲线

注意:uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP,此曲线表示式与结型场效应管一致。
三. 场效应管的主要参数
1.漏极饱和电流IDSS
2.夹断电压Up
3.开启电压UT



4.直流输入电阻RGS
5.低频跨导gm (表明场效应管是电压控制器件)

四. 场效应管的小信号等效模型

E-MOS 的跨导gm ---

五. 共源极基本放大电路
1.自偏压式偏置放大电路
* 静态分析







动态分析

若带有Cs,则

2.分压式偏置放大电路
* 静态分析


* 动态分析





若源极带有Cs,则



六.共漏极基本放大电路
* 静态分析




* 动态分析



第四章 多级放大电路
级间耦合方式
1. 阻容耦合----各级静态工作点彼此独立;能有效地传输交流信号;体积小,成本低。但不便于集成,低频特性差。
2. 变压器耦合 ---各级静态工作点彼此独立,可以实现阻抗变换。体积大,成本高,无法采用集成工艺;不利于传输低频和高频信号。
3. 直接耦合----低频特性好,便于集成。各级静态工作点不独立,互相有影响。存在“零点漂移”现象。
*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时,静态工作点也随之变化,致使uo偏离初始值“零点”而作随机变动。
二. 单级放大电路的频率响应



1.中频段(fL≤f≤fH)



波特图---幅频曲线是20lgAusm=常数,相频曲线是φ=-180o。



2.低频段(f ≤fL)








3.高频段(f ≥fH)



4.完整的基本共射放大电路的频率特性





三. 分压式稳定工作点电路的频率响应
1.下限频率的估算

2.上限频率的估算







四. 多级放大电路的频率响应
1. 频响表达式


2. 波特图























第五章 功率放大电路
一. 功率放大电路的三种工作状态
1.甲类工作状态
导通角为360o,ICQ大,管耗大,效率低。
2.乙类工作状态
ICQ≈0, 导通角为180o,效率高,失真大。
3.甲乙类工作状态
导通角为180o~360o,效率较高,失真较大

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上传人:儒林 2022/7/3 文件大小:2.05 MB

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