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第四章 双极型三极管.ppt

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第四章 双极型三极管.ppt

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文档介绍

文档介绍:第四章 双极型三极管
第一页,共216页。
§ 双极型晶体管(BJT)
晶体管的结构及类型
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
NPN型
且 iC =  iB
饱和区:发射结正偏,集电结正偏。
即:vCEvBE , iB>iC,vCE
截止区: vBE< 死区电压, iB=0 , iC=ICEO 0
其它状态
*
第十三页,共216页。
例:测量三极管三个电极对地电位如图
试判断三极管的工作状态。
放大
截止
饱和
2V
T
8V
3V

( a )
T
12V
3V
( b )
T

3V

( c )
*
第十四页,共216页。
晶体管的主要参数
①共发射极直流电流放大系数
1. 电流放大系数
②共基极直流电流放大系数
(1) 直流电流放大系数
显然, <1,~。
*
第十五页,共216页。
工作于动态的三极管,真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为iB,相应的集电极电流变化为iC,则共发射极交流电流放大系数为:
(2)交流电流放大系数
①共发射极交流电流放大系数
②共基极交流电流放大系数
*
第十六页,共216页。
例:VCE=6V时:IB = 40 A, IC = mA; IB = 60 A, IC = mA。
在以后的计算中,一般作近似处理: =
*
第十七页,共216页。
(1)集电极-基极反向饱和电流ICBO
A
ICBO
ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流,受温度的变化影响。

*
第十八页,共216页。
B
E
C
N
N
P
ICBO
ICEO=  ICBO+ICBO
IBE
 IBE
ICBO进入N区,形成IBE。
根据放大关系,由于IBE的存在,必有电流IBE。
集电结反偏有ICBO
(2) 集电极-射极反向饱和电流ICEO
ICEO受温度影响很大,当温度上升时,ICEO增加很快,所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。
+
-
+
-
穿透电流
*
第十九页,共216页。
(1)集电极最大允许电流ICM
集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降,当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。

*
第二十页,共216页。
(2) 集电极最大允许耗散功耗PCM
集电极电流IC
流过三极管,
所发出的焦耳
热为:
PC =iCvCE
必定导致结温
上升,所以PC
有限制。
PCPCM
iC
vCE
iCvCE=PCM
ICM
V(BR)CEO
安全工作区
*
第二十一页,共216页。
③V(BR)CEO
指基极开路时,集电极—发射极间的反向击穿电压
(3) 反向击穿电压
①V(BR)EBO
指集电极开路时,发射极—基极间的反向击穿电压
②V(BR)CBO
指发射极开路时,集电极—基极间的反向击穿电压
普通晶体管该电压值比较小,只有几伏
当集---射极之间的电压VCE超过一定的数值时,三极管就会被击穿
手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压V(BR)CEO
*
第二十二页,共216页。
温度对 BJT参数及特性的影响
BJT参数的影响
(1).温度对ICBO的影响
(2).温度对β的影响
(3).温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响
对温度非常敏感,温度每升高10℃,ICBO增加一倍
温度升高, β增加
温度升高, V(BR)CBO、V(BR)CEO增加
*
第二十三页,共216页。
(1)温度对输入特性的影响
iB
vBE
25ºC
50ºC
BJT特性曲线的影响
(2)温度对输出特性的影响
iC
vCE
温度升高,vBE减小
温度升高,ICBO、ICEO、 β增大
输出特性曲线上移
*
第二十四页,共216页。
半导体三极管的型号
国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
第二位:A锗PNP