文档介绍：------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————半导体专业术语英语 1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主,如 B ,掺入 Si 中需要接受电子 3. ACCESS :一个 EDA ( Engineering Data Analysis )系统 4. Acid :酸 5. Active device :有源器件,如 MOS FET (非线性,可以对信号放大) 6. Align mark(key) :对位标记 7. Alloy :合金 8. Aluminum :铝 9. Ammonia :氨水 10. Ammonium fluoride : NH4F 11. Ammonium hydroxide : NH4OH 12. Amorphous silicon :α-Si ,非晶硅(不是多晶硅) 13. Analog :模拟的 14. Angstrom :A( 1E-10m )埃 15. Anisotropic :各向异性(如 POLY ETCH ) 16. AQL(Acceptance Quality Level ): 接受质量标准, 在一定采样下, 可以 95% 置信度通过质量标准( 不同于可靠性, 可靠性要求一定时间后的失效率) 17. ARC(Antireflective coating) :抗反射层(用于 METAL 等层的光------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————刻) 18. Antimony(Sb) 锑 19. Argon(Ar) 氩 20. Arsenic(As) *** 21. Arsenic trioxide(As2O3) 三氧化二*** 22. Arsine(AsH3) 23. Asher :去胶机 24. Aspect ration :形貌比( ETCH 中的深度、宽度比) 25. Autodoping :自搀杂(外延时 SUB 的浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层) 26. Back end :后段( CONTACT 以后、 PCM 测试前) 27. Baseline :标准流程 28. Benchmark :基准 29. Bipolar :双极 30. Boat :扩散用(石英)舟 31. CD :( Critical Dimension )临界(关键)尺寸。在工艺上通常指条宽,例如 POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window : 特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish ( CMP ) :化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition ( CVD ) :化学汽相淀积。一种通过------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip :碎片或芯片。 36. CIM : computer-integrated manufacturing 的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design :电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 38. Cleanroom : 一种在温度, 湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。 39. Compensation doping :补偿掺杂。向 P 型半导体掺入施主杂质或向 N 型掺入受主杂质。 40. CMOS : complementary metal oxide semiconductor 的缩写。一种将 PMOS 和 NMOS 在同一个硅衬底上混合制造的工艺。 41. Computer-aided design ( CAD ) :计算机辅助设计。 42. Conductivity type : 传导类型, 由多数载流子决定。在N 型材