文档介绍：------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————场效应管百科名片目录简介特点工作原理分类作用使用优势对比型号命名主要参数直流参数交流参数极限参数测量方法判断方法产品特性电气特性参数符号注意事项------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————应用领域类型引申信息历史电极组成展开简介特点工作原理分类作用使用优势对比型号命名主要参数直流参数交流参数极限参数测量方法判断方法产品特性------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————电气特性参数符号注意事项应用领域类型引申信息历史电极组成展开编辑本段简介由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。 FET 英文为 Field Effect Transistor ,简写成 FET 。[1] 特点Ω) 很大。(3 )它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好; (4 )它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数; (6 )由于不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。工作原理大,根据漏极- 源极间所加 VDS 的电场,源极区域的某些电子被------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————漏极拉去,即从漏极向源极有电流 ID 流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型, ID 饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动, 在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极- 源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近, 由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生 ID 的饱和现象。其次, VGS 向负的方向变化,让 VGS=VGS(off) , 此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且 VDS 的电场大部分加到过渡层上, 将电子拉向漂移方向的电场, 只有靠近源极的很短部分, 这更使电流不能流通。分类场效应晶体管可分为结场效应晶体管和 MOS 场效应晶体管, 而 MOS 场效应晶体管又分为 N 沟耗尽型和增强型; P 沟耗尽型和增强型四大类。电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个 PN 结的正向导电方向。作用使用优势耗电少, 热稳定性好, 工作电源电压范围宽等优点, 因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。编辑本段型号命名有两种命名方法。------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————编辑本段主要参数直流参数饱和漏极电流 IDSS 它可定义为: 当栅、源极之间的电压等于零, 而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。夹断电压 UP 它可定义为:当 UDS 一定时,使 ID 减小到一个微小的电流时所需的 UGS 。开启电压 UT 它可定义为:当 UDS 一定时,使 ID 到达某一个数值时所需的 UGS 。交流参数低频跨导 gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。极限参数漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时, 产生雪崩击穿时的 UDS 。编辑本段测量方法电阻法测电极电阻法测好坏测放大能力无标示管的判别首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚, 也就是源极 S 和漏极 D ,余下两个脚为第一栅极 G1 和第二栅极 G2 。把先用两表笔测的源极 S 与漏极 D 之间的电阻值记下来, 对调表笔再测量一次, 把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极 D; 红表笔所接的为源极 S 。用这种方法判别出来的