模拟电子技术基础A.doc

文档介绍：襄樊学院理工学院期末考试试卷
模拟电子技术基础A卷
考试范围 第一至第十章 命题人 院系物电学院
考试形式闭卷课程类别必修学期 20111专业 电子
大题
—
—
四
五
六
七
八
九
十
满分
25
襄樊学院理工学院期末考试试卷
模拟电子技术基础A卷
考试范围 第一至第十章 命题人 院系物电学院
考试形式闭卷课程类别必修学期 20111专业 电子
大题
—
—
四
五
六
七
八
九
十
满分
25
15
15
45
得分
阅卷 人
班
级
学
姓
名
总
分
得分 评卷人 一、 选择题（从下列4个备选答案中选出一个正确答案，并
将其代号写在题干后面的括号中，答案选错，该题不得分。
每小题2. 5分，共25分。）
温度升高时，晶体二极管的“将（A ）

PN结反向工作时，流过的电流主要是（B ）

已知某晶体管的a =,则该管的B值是（D ）
A. 100 B. 101 C. 98 D. 99
如改变三极管基极电压的极性，使发射结由正偏导通变为反偏，则
集电极电流（B ）

共射基本放大电路中，若测得晶体管的VCQeVCC,则可以判别晶体
管工作在（C ）

差分放大器中用电流源代替Re是为了（ C ）


所谓放大器工作在闭环状态是指（B ）


负反馈放大电路的环路增益是指（B ）
A. A B. AF C. 1 + AF D. F
如果PN结的反向电流急剧增加，称为（C ）

工作在放大状态的某PNP晶体管、各电极电位之间应满足的关系为
（A ）
A. VC<VB<VE B. VOVB>VE C. VC<VE<VB D. VOVE>VB
得分 评卷人 二、填空题（，共15分。）
PN结的反向击穿有雪崩和—齐纳 两种击穿。
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由
本征激发 产生的。
衡量双极型三极管放大能力的参数是__B c
已知某晶体三极管的和B,贝lj f e=fT/ B
集成运放的输入级多米用对称结构差动放大 电路。
6、 某放大电路负载开路时，U0=6V,接上3KQ负载后，U°=4V,说明
该放大电路的输出电阻Ro= KQ o
7稳压管在稳压过程中工作在 区。
放大电路的失真按失真机理分为线性失真和—非线性 失真
两大类。
若引入反馈使放大器的增益