文档介绍：半导体本征半导体杂质半导体本征激发自由电子空穴载流子 N型 P型自由电子(多子) 空穴(少子) 自由电子(少子) 空穴(多子) 掺杂热激发半导体: 少子对温度非常敏感;而多子的浓度基本上等于杂质原子的浓度,所以受温度影响不大。 PN 结的特性——单向导电性规定: P区接电源正, N区接电源负为 PN结加正向电压 N区接电源正, P区接电源负为 PN结加反向电压单向导电性 PN结加正向电压时(正偏), 导通 PN结加反向电压时(反偏), 截止 PN++ ++++ U/V 二极管硅二极管的死区电压约为: U th= V 左右, 锗二极管的死区电压约为: U th= V 左右。 604020 – 0 –25 –50 i D/ mAu D / V 20C 90C随着温度的升高, 正向特性曲线左移,即正向压降减小; 反向特性曲线下移, 即反向电流增大。一般在室温附近,温度每升高 1℃,其正向压降减小 2- ;温度每升高 10℃,反向电流大约增大 1倍左右。半导体二极管的温度特性 S正偏导通, u D = 0 ; 反偏截止, i D = 0 S ◆理想模型◆恒压降模型当流过二极管的电流近似等于或大于 1mA 时, 可以认为二极管导通后, 管压降是恒定的,且不随电流而变;硅管为 伏, 锗管为 伏。二极管的单向导电性应用很广,可用于:检波、整流、限幅、钳位、开关、元件保护等。 1)断开二极管,判断二极管两端电位 2)根据题目要求利用理想模型或者恒压降模型进行等效,再求解类型题: 1)求输出电压,画输出波形 2)开关电路求输出电压(压降大的二极管优先导通) 1)正偏导通,反偏截止; 2)当反向电压加到某一定值时 U Z,产生反向击穿, 反向电流急剧增加, 只要控制反向电流不超过一定值,管子就不会损坏。稳压二极管稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管。应用: 1)稳定电压和稳定电流; 2)给输入电压求输出电压及波形; 3)稳压管串并联发射区掺杂浓度高,基区很薄,集电结面积大是保证三极管能够实现电流放大的内因;发射结正偏,集电结反偏是保证三极管实现电流放大的外因; B CII B EII)1(电流控制电流半导体三极管( BJT ) --电流放大特性( β) BCEIII