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名词解释：
韧性断裂：材料断裂前及断裂过程中产生明显宏观塑性变形的断裂过程。
应力状态软性系数：不同加载情况下材料最大切应力τmax与最大正应力σma收的能量很小，最低频率的振子也不能被激发到更高的能级，没有声子被激发。③ 当T↑， kT>>hv，最大频率的振子也被激发到高能级，kT=hvmax，即，德拜特征温度,所有振子占据高能级的几率为1， T 再↑，不同频率的振子获得能量占据更高能级所激发的声子数相同。
20．影响无机非金属材料热传导的因素：：热导率λ=1/3Cυl，υ可以看作常数①T对C的影响T=0K,C=0；T< qD； C∝T3；T>> qD C≈3R②T对平均自由程 l 的影响：T↑，声子碰撞几率↑，l ↓，热阻↑，λ↓， T ↓，声子碰撞几率↓，l↑ ，热阻↓，λ↑③T对λ的影响T=0K，C=0, λ=0↓，T ↑ ， C∝T3， l是上限值， λ ∝T3，λ ↑；T 再↑， T< qD, C∝T3， l随T↑而↓， λ升高速度↓；T= qD , C≈3R , l随T↑而↓ , λ ↓；T> qD，l是下限值↓ ， λ趋于定值；T 再↑↑，光子导热， λ ↑2．显微结构的影响①结晶构造的影响晶体结构愈复杂，晶格振动的非谐性程度愈大，格波受到的散射愈大，因此，声子平均自由程较小，热导率较低，②各向异性晶体的热导率：非等轴晶系的晶体热导率呈各向异性。温度升高，晶体结构总是趋于更好的对称。因此，不同方向的λ差异变小。③多晶体与单晶体的热导率④非晶体的热导率。
21．T↑，金属中参与导电电子数和电子速度几乎不受影响，导带中nef，一定。T↑使得电子—声子，电子—电子之间的散射几率增加，l↓，σ ↓，电阻率p ↑。温度较高时，正离子能量增加，声子数增加，电子的散射主要是电子和声子之间的相互作用。当温度接近于0K时（T<2K），声子数很少，电子的散射主要是电子与电子间的相互作用，并应以ρ∝T2的规律趋于零，但对大多数金属，此时的电阻率表现为一常数，ρ＝ρ’。这是点阵畸变造成的残留电阻所引起，即ρ’为残留电阻率。
22．半导体电阻率-温度关系：①低温区：n0=nD+, 相同温度下，非本征半导体电子浓度，比本征半导体大得多，但对温度的依赖性小。②中温区： n0=ND, 电子浓度基本与温度无关。这个温度对于，非本征半导体材料来说非常重要，（半导体的使用温度）。耗尽区的上限温度越高表示此种半导体的使用温度越高。③高温区：本征激发区
23．影响离子电导率的因素：①唯一的导电机理②两种导电机理（斜率先小后大）这是由于杂质活化能比基本点阵离子的活化能小许多的缘故。
③两种导电机理（斜率先大后小）两种杂质离子的电导④导电机理复杂.
24．帕耳帖效应内容：将铜、铋两根金属丝的端点互相连接（A,B处）成为一闭合回路。
将两根铋丝分别接到直流电源的正、负极上，通电。结果：通电后发现A接头变冷，吸热效应；B接头变热，发生了放热效应，这个现象称为帕尔帖热电效应。应用——制冷
当金属导线两端，温度不同，通过电流，发现，若电流方向与热端方向一致时产生放热，反之吸热。这就是汤姆逊效应。
把两种不同的金属导体1，2组成闭合回路，两接点分别置于T1和T2（设