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CMOS制造工艺流程简介
第二章 CMOS制备 6Active Area Definition (主动区)
Photoresist
Si3N4
SiO2
• Photolithography
- Mask #1 pattern alignment and UV exposure
- Rinse away non-pattern PR
- Dry etch the Nitride layer
-- Plasma etch with Fluorine
CF4 or NF4 Plasma
- Strip Photoresist (H SO 或O plasma)
2 4 2 7Field Oxide Growth
Si3N4
SiO2
• 场区:很厚的氧化层，位于芯片上不做晶体管、电极接触的区域，可
以起到隔离晶体管的作用。
• Wet Oxide (thick SiO2)
- H2O (≈ 500 nm, 90 min. ***@1000ºC)
- LOCOS: Local Oxidation of Silicon (局部硅氧化工艺)
• Strip Nitride layer
- Phosophoric acid (磷酸) or plasma etch，选择性问题
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• 薄的SiO2层，厚的Si3N4层，避免鸟喙(bird’s beak) N阱和P阱的形成
P-well Fabrication
• Photolithography (套刻)
- Mask #2 pattern alignment and UV exposure
- Rinse away non-pattern PR
• Ion Implantation 离子注入
Photoresist
- B+ ion bombardment
-Penetrate thin SiO2 and field SiO2
-- 反型：半导体表面的少数载流
SiO2
子浓度等于体内的多数载流子浓度
时，半导体表面开始反型。
- 150-200 keV for 1013cm-2
-- Implantation Energy and total
dose adjusted for depth and
concentration