文档介绍：LED 封装半导体发光二极管简称 LED ,从上世纪六十年代研制出来并逐步走向市场化, 其封装技术也是不断改进和发展。 LED 由最早用玻璃管封装发展至支架式环氧封装和表面贴装式封装,使得小功率 LED 获得广泛的应用。从上世纪九十年代开始,由于 LED 外延、芯片技术上的突破,四元系 AlGaInP 和 GaN 基的 LED 相继问世,实现了 LED 全色化,发光亮度大大提高, 并可组合各种颜色和白光。器件输入功率上有很大提高。目前单芯片 1W 大功率 LED 已产业化并推向市场, 台湾国联也已研制出 10W 的单芯片大功率 LED 。这使得超高亮度 LED 的应用面不断扩大, 首先进入特种照明的市场领域, 并向普通照明市场迈进。由于 LED 芯片输入功率的不断提高,对这些功率型 LED 的封装技术提出了更高的要求。功率型 LED 封装技术主要应满足以下二点要求: 一是封装结构要有高的取光效率, 其二是热阻要尽可能低,这样才能保证功率 LED 的光电性能和可靠性。所以本文将重点对功率型 LED 的封装技术作介绍和论述。二、功率型 LED 封装技术现状由于功率型 LED 的应用面非常广,不同应用场合下对功率 LED 的要求不一样。根据功率大小, 目前的功率型 LED 分为普通功率 LED 和W级功率 LED 二种。输入功率小于 1W 的 LED (几十 mW 功率 LED 除外)为普通功率 LED ; 输入功率等于或大于 1W 的 LED 为W 级功率 LED 。而W级功率 LED 常见的有二种结构形式, 一种是单芯片 W 级功率 LED , 另一种是多芯片组合的 W 级功率 LED 。 1 .国外功率型 LED 封装技术: (1 )普通功率 LED 根据报导,最早是由 HP 公司于 1993 年推出“食人鱼”封装结构的 LED ,称“ Super flux LED ”,并于 1994 年推出改进型的“ Snap LED ”,其外形如图 1 所示。它们典型的工作电流,分别为 70mA 和 150mA ,输入功率分别为 和 。 Osram 公司推出“ Power TOP LED ”是采用金属框架的 封装结构, 其外形图如图 2 所示。之后其他一些公司推出多种功率 LED 的封装结构。其中一种-4 结构封装形式, 其功率约 200~300mW , 这些结构的热阻一般为 75~125 ℃/W 。总之, 这些结构的功率 LED 比原支架式封装的 LED 输入功率提高几倍,热阻下降几倍。(2)W 级功率 LED W 级功率 LED 是未来照明的核心部分,所以世界各大公司投入很大力量,对 W 级功率封装技术进行研究开发,并均已将所得的新结构、新技术等申请各种专利。单芯片 W 级功率 LED 最早是由 Lumileds 公司于 1998 年推出的 Luxeon LED ,其结构如图 3 所示,根据报导,该封装结构的特点是采用热电分离的形式,将倒装芯片用硅载体直接焊接在热沉上, 并采用反射杯、光学透镜和柔性透明胶等新结构和新材料, 提高了器件的取光效率并改善了散热特性。可在较大的电流密度下稳定可靠的工作,并具有比普通 LED 低得多的热阻, 一般为 14~17 ℃/W , 现有 1W 、 3W 和5W 的产品。该公司近期还报导[ 1 ]推出 Lu