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材料科学基础名词解释
第一章 固体结构
1、晶体:原子按一定方式在三维空间内周期性地规则重复排列，有固定熔点杂质粒子，晶界等），领先位错会在障碍物前被阻止，后续位错被堵塞起来，形成位错的塞积。塞积的位错群体就称为位错的塞积群，最靠近障碍物的位错称为领先位错。
34、位错的交割：在晶体形变过程中，任意一条位错线的运动，除了受与其相连接的位错线牵制外，还会遇到具有不同方向和不同滑移面上的其他位错线，这就出现了位错线的互相交割。
35、位错割阶：由于位错线不能中断，故出现了小台阶，它相当于一小段螺型位错线，称为位错割阶。
36、晶体结构条件：是指柏氏矢量必须连接晶体中的一个原子平衡位置到另一个平衡位置。
37：能量条件：是指柏氏矢量必须使位错处于最低能量。
38、肖克莱不全位错：面心立方晶体中的不全位错，层错区与完整晶体区的交线M（垂直于纸面）即为肖克莱不全位错。
39、弗兰克不全位错：层错区与右半部分完整晶体之间的边界（垂直于纸面）就是弗兰克不全位错。
40、位错反应：由几个位错合成为一个新位错或由一个位错分解为几个新位错的过程称为位错反应。由几何条件，能量条件决定。
41、离子晶体中的位错特点：，但柏氏矢量仍为最短的点阵矢量。。，沿着位错线没有粒子和电荷的移动，因而位错露头处的有效电荷不改变符号。
42、与金属相比，共价晶体和离子晶体中固有的位错，特别是可动的位错很少，另外，金属在变形时可大量增殖位错，而共价晶体和离子晶体由于结合力很强，位错运动时点阵阻力大，这些都是导致其变形比金属困难。
43、面缺陷：一是晶体的外表面，二是晶体的内界面。
44、晶界：相邻晶粒之间的界面称为境界。
45、小角晶界：两个相邻晶粒位向差小于10度的晶界称为小角晶界。又可分为对称倾侧晶界，扭转晶界
46、界面能：由于晶界上原子排列不规则，产生点阵畸变，引起能量升高，这部分能量称为界面能。小角度界面能岁位向差的增大而增加，大角界面能基本是一恒定值，与位向差无关，且比小角界面能大很多。
47、在多晶体中，即使一个晶粒内，原子排列也并不是十分规整，其中会出现位向差很小（通常小于1度）的亚结构。各亚结构之间的交界称为亚晶界。亚晶界属于小角晶界。
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48、孪晶界：孪晶是指相邻两个晶粒或一个晶粒内的相邻两部分的原子相对于一个公共境界呈镜面对称排列，此公共晶面称为孪晶面。孪晶之间的界面称为孪晶界，如果孪晶界与孪晶面不一致，称为非共格孪晶界。
49、相界：相邻两个相之间的界面称为相界。
50、致密度:晶体结构中原子体积占总体积的百分数。
7、交滑移:当某一螺型位错在原滑移面上运动受阻时，有可能从原滑移面转移到与之相交的另一滑移面上去继续滑移，这一过程称为交滑移。
11、弥散强化：许多材料由两相或多相构成，如果其中一相为细小的颗粒并弥散分布在材料内，则这