文档介绍：光刻工艺介绍
一、定义与简介
光刻是所有四个基本工艺中最关键的，也就是被称为大家熟知的 photo,lithography,photomasking，masking，或 microlithography。 在晶圆的制造过程中，晶体三极管rack设备中完成的，为了提高效率，track和光刻机 通常是集成在一起的。在我们采购的ASML光刻机和TEL track都是 自动化相当高的设备，手动条件下也只需要放上要做的产品片盒后选 好程序就行，而自动条件下只要放上片盒启动化系统会自行选择要用 的程序一般情况下ASML光刻机的产能可以做到每小时60〜90片。
就Track而言，目前高端市场占有率最高的是TEL,其次就是DNS , 在产能和稳定性方面，，其 设备都是把spin coat, Develop,热板，冷板以及洗边的模块堆叠起 来，通过中间的机械手来传送晶圆。
就Scanner而言,目前在高端市场上，ASML在分辨率，稳定性和 产能方面都占有绝对优势，将其竞争者(Nikon , Canon )远远甩在 后面。ASML光刻机是一个非常负责的系统，一般来说包括以下几个 子系统：
Operator
Control Unit
Scanning Reticle Stage
Airmounts Scanning Wafer
Stage
Laser
Illuminator
Wafer z Transport
System
Beam Delivery
Projection lens””
■- AWL
晶圆处理系统(wafer handling)，就是晶圆传送和预对准系统， 通过CCD侦测晶圆边缘的预对准精度能达到40微米以下.
光罩处理系统((reticle handling)，就是光罩传送和预对准系统。
对准系统(Alignment)，就是做晶圆和载片台(wafer stage) 间对准，载片台和光罩之间对准，载片台和光罩载物台间对准。
ASML设备有不同的对准光源，主要是He-Ne激光和曝光用紫 外线。单就设备能力而言，光刻后图形的对准精度一般可以做 到特征线宽的1/10左右，例如I—line stepper 100B的特征线宽 ，设备对准精度就可以做到0。05um。
成像系统(Imaging)，光刻机成像系统包括光源，光罩，投影镜 头组。由于现在工艺的发展，线宽越来越小，即便是紫外线在 通过光罩时,也会发生衍射，而投影镜就是收集衍射后的光线并 用凹凸镜成像。一般stepper(步进式光刻机)成像都是光罩的 1/5，而 scanner 则是 1/4.
找平系统(Leveling)，光刻机成像系统包括光源光罩，投影镜 头组,载片台和晶圆，其中任何一个有微小偏差，都会导致成像 面和晶圆不在一个平面上°leveling系统就是在曝光前测量晶
圆表面与成像面是否平行，从而在曝光时可以调整载片台的表
面，使晶圆表面与成像面平行，得到最佳的光刻图形。Leveling 系统的侦测与调整都是在ppm或um的数量级内进行的。
6） 照明系统（Illumination）,就是把光源发出的光传送到光罩表面 的系统，在传送的过程中要滤波长与要求不符和的（I-line波