文档介绍：CMOS制作基本工艺..
CMOS制作基本工艺..
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CMOS制作基本工艺..
CMOS制作基本步骤
CMOS的制作步骤是需要经过一系列的复杂的化学和物理操作最终形成集成电路。而做为一名集成电路为
浅槽隔离
工艺。
STI
通常用于
以下工
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艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于
与硅隔离。
下面详细介绍一下浅槽隔离的步骤，主要包括：槽刻蚀、氧化物填充和氧化物平坦化 。
槽刻蚀
1）隔离氧化层。 硅表面生长一层厚度约 150 埃氧化层； 可以做为隔离层保护有源区在去掉氮化物的过程中免受化学沾污。
（2）氮化物淀积。硅表面生长一薄层氮化硅： a) 由于氮化硅是坚固的掩膜材料，有助于在 STI 氧化物淀积
过程中保护有源区 b) 在 CMP时充当抛光的阻挡材料。
3）掩膜，浅槽隔离
4）STI 槽刻蚀。在经过上面的光刻之后把没有被光刻胶保护的区域用离子和强腐蚀性的化学物质刻蚀掉
氮化硅、氧化硅和硅。需要注意的是会在沟槽倾斜的侧壁及圆滑的底面有助于提高填充的质量和隔离结构
的电学特性
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氧化物填充
（1） 沟槽衬垫氧化硅
硅片再次清洗和去氧化物等清洗工艺后，高温下在曝露的隔离槽侧壁上生长 150 埃的氧化层，用以阻
止氧分子向有源区扩散。同时垫氧层也改善硅与沟槽填充氧化物之间的界面特性
（2）沟槽 CVD氧化物填充
氧化物平坦化
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1）化学机械抛光
2）氮化物去除
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CMOS制作步骤（三）：多晶硅栅结构工艺
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2011-8-3
工艺流程
gate 、 polysilicon
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晶体管中的 多晶硅栅
(polysilicon gate)
结构的制作是整个
CMOS流程中最关键的一步，它
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的实现要经过栅氧层的形成和多晶硅栅刻蚀这两个基本过程，
多晶硅栅的最小尺寸决定着一
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个工艺的特征尺寸，同进也为下面的源漏注入充当掩膜的作用，这也是做为
IC
版图工程师
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需要掌握的基础知识。
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多晶硅栅结构制作基本步骤一： 栅氧化层的生长。 清洗掉硅片曝露在空气中沾染的杂质和形成的氧化层。进入氧化炉生长一薄层二氧化硅。
多晶硅栅结构制作基本步骤二：多晶硅淀积。硅片转入通有硅烷的低压化学气相淀积设备，
硅烷分解从而在硅片表面淀积一层多晶硅，之后可以对 poly 进行掺杂。
多晶硅栅结构制作基本步骤三：多晶硅光刻。 在光刻区利用深紫外线光刻技术刻印多晶硅
结构。
多晶硅栅结构制作基本步