模拟电路试卷.doc

文档介绍：模拟电路试卷
电子技术基础(模拟部分)
一、填空题。(每空1分,共30分)
1、PN结正偏时_________,反偏时_________,所以PN结具有单向导电性。
2、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为_________,等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为__________,等效成断开。
3、三极管是__________控制元件,场效应管是__________控制元件。
4、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic__________,发射结压降__________。
5、三极管放大电路共有三种组态分别是_________________、_______________、________________放大电路。
6、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用_______________负反馈,为了稳定交流输出电流采用_____________负反馈。
7、共集电极放大电路具有电压放大倍数___________,输入电阻______,输出电阻________等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
8、差分放大电路能够抑制__________漂移,也称________漂移,所以它广泛应用于集成电路中。
9、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为__________,未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为
____________。
10、振荡电路的平衡条件是______________,_______反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。
11、在桥式整流电阻负载中,理想二极管承受最高反压是( )。
12、在三极管放大电路中,静态工作点过高会产生__________失真;静态工作点过低,信号容易产生失真。
13、场效应管与晶体管相比较,其输入电阻;噪声好;饱和压降
二、选择题。(每题2分,共30分)
1. 根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB = -,VE = -7v,VC = -4v,可以判定此晶体管是。( )
A NPN管,饱和区 B PNP管, 放大区
C PNP管,截止区 D NPN管, 放大区
2. 场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的( )。
A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区
3. 在单级放大电路的三种接法中,它们相互比较起来正确的说法是:(
A 共发射极电路的AV最大、RI最小、RO最小
B 共集电极电路的AV最小、RI最大、RO最小
C 共基极电路的AV最小、RI最小、RO最大
D 共发射极电路的AV最小、RI最大、RO最大
4. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是( )。
A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性
C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响
( )。
A 电压放大倍数高 B 输出电流小
C 输出电阻增大 D 带负载能力强
( )。
A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响
C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适
,应采用( )滤波