文档介绍：附件
大学生创新创业训练计划
申请书
项目名称CH4与H2的流速及流量比对
CVD法生长单晶石墨烯结构
与形貌的影响
申报级别□校级■市级
申报类型■创新训练项目
项目负责人顾圣来
联系电话 **********
负责人所在学院材料科学与工程学院
教务处制表
2012年9月
申请者的承诺:
我承诺对本人填写的各项内容的真实性负责,保证没有知识产权争议。如获准立项,我承诺以本表为有约束力的协议,填写《上海理工大学大学生创新创业训练计划项目过程记录册》,遵守学校的相关规定,按计划认真开展研究和实践工作,取得预期成果。上海理工大学有权使用本表所有数据和资料。
负责人签字:
年月日
填写须知
一、项目分类说明:
创新训练项目指本科生团队(3至6名本科生)在导师指导下,自主完成创新性实验方法的设计、设备和材料的准备、实验的实施、数据处理与分析、总结报告撰写等工作。
二、申请参加大学生创新训练的人数含负责人在内不得超过6人、指导教师限一名。
三、本表请如实填写,表达明确严谨。所列各项内容不能简单标注“见附件”,否则视为不合格。
四、填表字体用小四号宋体,,申请书报送一式一份。要求统一用A4纸单面印制、装订,所附材料用小四号宋体打印,附于申请书后。
项目名称
CH4与H2的流速及流量比对CVD法生长单晶石墨烯结构与形貌的影响
项目实施时间
起始时间:2014 年 10 月完成时间:2015 年 12 月
项目负责人
姓名
年级
学号
所学专业
联系电话
E-mail
顾圣来
大三
1226410125
材料成型及控制
**********
admh0000@
项目成员
时静静
大三
1226010204
材料科学与工程
**********
**********@
王静
大三
1226010203
材料科学与工程
**********
Nuo885@
指导教师
姓名
限一名
材料学院
邱汉迅
职务/职称
副教授
项目简介
目前制备单晶石墨烯的方法有多种,如机械剥离法、SiC外延伸生长法、化学气相沉积法(CVD)等。相比于其他方法,CVD法制备石墨烯具有制备成本低、对石墨烯的生长形态可控性高及生长工艺简单等优点,成为当前制备单晶石墨烯最有效的方法之一,其中CVD法在铜衬底上生长石墨烯备受关注。
影响铜衬底上石墨烯的CVD生长的因素众多,包括铜的表面结构、生长温度、前驱体和载流气体的气体流量和冷却速率等。
研究目标:
本项目将采用CVD方法在铜衬底上生长石墨烯实验,系统地研究CH4和H2气体流速及流量比对CVD法生长单晶石墨烯结构与形貌的影响,以期对优化在铜衬底上CVD法石墨烯生长工艺能够提供实验依据。
研究内容:
制备单晶石墨烯材料;
研究生长条件,包括CH4和H2气体流量,以及流量比等对CVD法生长单晶石墨烯结构与形貌的影响;
研究气体流量变化对所制备石墨烯材料的关联机制与科学原理。
技术路线:
首先将铜箔进行机械抛光处理,然后进行电化学抛光,具体步骤如下:将经过机械抛光的铜箔完全进入过硫酸铵溶液中浸泡,取出样品,用去离子水清洗,然后再酒精中清洗,最