文档介绍：: .
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金属键：自由电子与原子核之间静电作用产生的键合力。
范德华键：由瞬间偶极矩和诱导偶极矩产生的分子间引力所构成的物理键。
同质异构体：化学组成相同由于热力学条件不同而形成的不同晶体结构。
布拉菲点阵：除考虑晶胞外形外，还考虑阵点位置所构成的点阵。
配位多面体：原子或离子周围与它直接相邻结合的原子或离子的中心连线所
构成的多面体，称为原子或离子的配位多面体。
拓扑密堆相：由两种大小不同的金属原子所构成的一类中间相，其中大小原
子通过适当的配合构成空间利用率和配位数都很高的复杂结构。由于这
类结构具有拓扑特征，故称这些相为拓扑密堆相。
大角度晶界：多晶材料中各晶粒之间的晶界称为大角度晶界，即相邻晶粒的
位相差大于 10º的晶界。
电子化合物：电子化合物是指由主要电子浓度决定其晶体结构的一类化合物，
又称休姆 -罗塞里相。凡具有相同的电子浓度，则相的晶体结构类型相同。第三章 晶体缺陷
1、点缺陷（Point defects）：最简单的晶体缺陷，在结点上或邻近的微观区域内
偏离晶体结构的正常排列。在空间三维方向上的尺寸都很小，约为一个、
几个原子间距，又称零维缺陷。包括空位、间隙原子、杂质、溶质原子
等。
线缺陷（Linear defects）：在一个方向上的缺陷扩展很大，其它两个方向上尺
寸很小，也称为一维缺陷。主要为位错 dislocations。
面缺陷（Planar defects）：在两个方向上的缺陷扩展很大，其它一个方向上
尺寸很小，也称为二维缺陷。包括晶界、相界、孪晶界、堆垛层错等。
空位：晶体中点阵结点上的原子以其平衡位置为中心作热振动，当振动能足
够大时，将克服周围原子的制约，跳离原来的位置，使得点阵中形成空
结点，称为空位。
肖脱基（Schottky）空位：迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置，使晶
体内部留下空位。
弗兰克尔（Frenkel）缺陷：挤入间隙位置，在晶体中形成数相等的空位目 和
间隙原子。
晶格畸变：点缺陷破坏了原子的平衡状态，使晶格发生扭曲，称晶格畸变。
从而使强度、硬度提高，塑性、韧性下降；电阻升高，密度减小等。
热平衡缺陷：由于热起伏促使原子脱离点阵位置而形成的点缺陷称为热平衡
缺陷，这是晶体内原子的热运动的内部条件决定的。
过饱和的点缺陷：通过改变外部条件形成点缺陷，包括高温淬火、冷变形加
工、高能粒子辐照等，这时的点缺陷浓度超过了平衡浓度，称为过饱
和的点缺陷。
2、位错：当晶格中一部分晶体相对于另一部分晶体发生局部滑移时，滑移面上
滑移区与未滑移区的交界线称作位错
柏氏矢量：描述位错特征的一个重要矢量，它集中反映了位错区域内畸变总
量的大小和方向，也使位错扫过后晶体相对滑动的量。
螺型位错：位错线附近的原子按螺旋形排列的位错称为螺型位错。
刃型位错:晶体中的某一晶