文档介绍：LED 培训(péixùn)资料(zīliào)〔一〕
编写(biānxiě):LED 研发部
大纲：
一、了解(liǎojiě)光和LED诠释、历史简介
二、了解LED原物料和制造(zhìzào)工艺
三、了解LED应用领域和产上下。VF 的大小一定程度上反映了电极制作的优劣。相对于350毫安的正向电流，红黄光类LED 的VF 值约为2 伏，而蓝绿光类LED 器件的VF 值通常大于3 伏。反向漏电流IR 是指给定的反向电压下流过器件的反向电流值，这个值的大小十分敏感于器件的质量。通常在5 伏的反向电压下，反向漏电流应不大于是10 微安，IR 过大明确结特性较差。反向击穿电压是指当反向电压大于某一值时，反向漏电电流会急剧增大，反映了器件反向耐压的特性。对一个具体器件而言，漏电流大小的标准有所不同，在较为严格的情况下，要求在规定电压下，反向漏电流不大于10 微安。3、LED 的开展历史半导体PN结发光现象的发现，可追溯到上世纪二十年代， 在研究SiC检波器时，首先观察到了这种发光现象。由于当时在材料制备、器件工艺技术上的限制，这一重要发现没有被迅速利用。直至20世纪60年代初，随着Ⅲ-Ⅴ族材料与器件工艺的进步，人们终于研制成功了具有实用价值的发射红光的GaAsP 发光二级管，并被GE公司大量生产用作仪器表指示。此后由于GaAs、Gap 等材料研究与器件工艺的进一步开展，除深红色的LED外，包括橙、黄、黄绿等各种色光的LED 器件也大量涌现于市场。出于多种原因，Gap、GaAsP 等LED 器件的发光效率很低，光强通常在10mcd 以下，只能用作室内显示之用。虽然AlGaAs 材料进入间接跃进型区域，发光效率迅速下降。跟随着半导体材料及器件工艺的进步，特别是MOCVD 等外延工艺的日益成熟，至上世纪九十年代初，日本日亚化学公司〔Nichia〕与美国的克雷〔Cree〕公司通过MOCVD 技术分别在蓝宝石与SiC 衬底上生长成功了具有器件结构的GaN 基LED 外延片，并制造了亮度很高的蓝、绿及紫光LED 器件。超高亮LED 的第二个特征是发光波长的扩展，InGaAlP 器件的出现使发光波段向短波扩展到570nm 的黄绿光区域，而GaN
基器件更使发光长短扩至绿、蓝、紫波段。对于一般照明而言，人们更需要白色的光源。1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石〔YAG〕封装在一起做成，GaN芯片发蓝光〔λp=465nm，Wd=30nm〕，高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射，峰值550nm。蓝光LED基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有YAG的树脂薄层，约200-500nm。LED基片发出的蓝光局部被荧光粉吸收，另一局部蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到得白光。现在，对于InGaN/YAG白色LED，通过改变YAG荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度，可以获得色温3500-10000K的各色白光。 在LED业者中，日亚化学是最早运用上述技术工艺研发出不同波长的高亮度LED，以及蓝紫光半导体激光〔Laser Diode；LD〕，是业界握有蓝光LED专利权的重量级业者。在日亚化学取得兰色LED生产及电极构造等众多根本专利后，坚持不对外提供授权，仅采自行生产策略，意图独