文档介绍：光伏探测器
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光伏器件
简称PV（Photovolt）
单元器件
线阵器件
四象限器件
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别？为什么？
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光伏探测器的原理和特性
6. 响应时间和频率特性
光伏效应示意图
响应时间：
扩散时间～10-9s
漂移时间～10-11s
电路时间常数
×10－9 s
光敏区薄，缩短扩散时间；边注入技术，？扩散时间
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光伏探测器的原理和特性
6. 响应时间和频率特性
频率特性：
仅考虑电路时间常数
硅光电二极管~几百兆赫，~上千兆赫的响应频率; PIN光电二极管~10GHz,雪崩光电二极管100GHz
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光伏探测器的原理和特性
比较：频率特性
光伏探测器
光电导探测器
光伏探测器频率特性由电路时间常数决定
光电导探测器频率特性由载流子寿命决定
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常用光伏探测器
硅光电池
硅光电二极管
硅光电三极管
PIN光电二极管
雪崩光电二极管
紫外光电二极管
碲镉***、碲锡铅红外光电二极管
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常用光伏探测器
硅光电池
工作区域：第四象限：
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常用光伏探测器
结构：
分类：
－－主要功能是作为光电探测用，光照特性的线性度好
太阳能光电池
测量光电池
－－主要用作电源，转换效率高、成本低
(Solar Cells)
硅光电池
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常用光伏探测器
光电特性
照度—电流电压特性
照度—负载特性
硅光电池
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伏安特性
光电池伏安特性
常用光伏探测器
硅光电池
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伏安特性
常用光伏探测器
－－表示输出电流和电压随负载电阻变化的曲线
无外加偏压
（自偏压）
硅光电池
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光谱特性
常用光伏探测器
普通型、短波长响应型
硅光电池
频率特性
数十kHz 原因？？
温度特性
开路电压——负温度系数
短路电流——正温度系数
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常用光伏探测器
硅光电二极管
结构：
掺杂浓度较低；
电阻率较高；
结区面积小；
通常多工作于反偏置状态；
结电容小，频率特性好；
光电流比光电池小得多，一般多在微安级
比较：光电二极管与光电池 表4－2和表4－1
（Photodiode，简称PD）
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常用光伏探测器
硅光电三极管
－－又称为光电晶体管（Phototransistor，简称PT）
光电三极管在电子线路中的符号
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常用光伏探测器
硅光电三极管
原理性结构图：
又称为光电晶体管（Phototransistor，简称PT）
光电三极管的结构和普通晶体管类似，但它的外壳留有光窗
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常用光伏探测器
硅光电三极管
原理图：
又称为光电晶体管（Phototransistor，简称PT）
NPN光电三极管可等效为一个硅光电二极管和一个普通晶体管组合而成。
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