文档介绍：.
应用ADS设计VCO

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微波振荡器按器件来分能够分为：双极晶体管振荡器；场效应管振荡器；微
、相位噪音、功
率、效率的高低，故应该正确设计偏置电路，并选择最正确直流工作点，以达到最
高的射频性能。设计的原则取决于应用。比方用作低噪声振荡器：采纳硅双极晶
体管时Vce能够在5－10V、Ice可在3－8mA内选择；采纳***化镓场效应管时
，IDS大概为8－10mA，一般选择相当低的漏源电压VDS和电源
IDS。
4微固态振荡源的设计方法
微固态振荡源的传统设计方法，是设计者从给定的技术指标出发，选择振荡
器件及电路形式，按简化的等效电路或图解方法，依据现有的设计资料也许过去
的经验，初步设计制成电路，调测其特点，尔后依据所测性能与技术要求进行比
较。若是不知足给定指标，再更正电路直到知足要求为止。而引入了微波电路设
计CAD后，这个过程能够作出适合的调整，调整为：定模、解析、最优化。
设计目标
设计一个VCO，，带宽为400MHz左右。
硅双极性管等效模型解析模型
本节的振荡器采纳HP公司生产的AT41411硅双极管。
可编写
.
主要的指标有：
低噪音特点：；；
高增益：1GHz是增益为18dB；2GHz时增益为13dB；
截止频率是：7GHz，有足够宽的频带；
直流偏置：Vce＝8V；Ic＝10mA
封装形式：STO143
因为该振荡器工作的频率有2GHz这么高，这个时候晶体管之间的结电容和
封装管子引入的引线电感和散布电容就一定要考虑了。图6是双极性硅管的高频
信号模型，详尽的典型参数值在后表。图7是考虑了封装后的双极性硅管的高频
信号模型，详尽的典型参数值也见后表。因为这些参数HP公司是没有供给的，
只供给了S参数，因此我们不能够用这类小信号模型来做仿真，只好利用这些小信
号模型来估量振荡器其余部件的参数值。HP_AT41411在ADS的器件库里面带
有，能够直接使用。
可编写
.
图6
图7
符号
元件名
典型值
Re2
发射极扩展电阻

ohm
Re1
发射极空间电荷电阻

ohm
Rs
集电极扩展电阻

ohm
Ce
发射极－基极结电容

Cc
集电极－发射极电容

pF
Cce
集电极－发射极电容

pF
可编写
.

ohm
αo零频率是共基极电流放大倍数

表1硅双极管管芯等效电路元件典型值
符号
元件名
典型值
C1、C2
各封装点之间的电容
C1:-
C3、C4
C2:-
C3:-
C4:-
C5
输出、输入端之间的电容

L1、L4
参照面与封装边沿之间的引线电感
；
L2、L3
封装边沿与金属丝接点之间的引线电感
L5
芯片至发射极端子的金丝电感
表2封装参数典型值
确立实质电路
图8是本节振荡器采纳的详尽电路，其电路结构如图9所示