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文档介绍

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A/0 页号:3/9





工艺尾气、碱性废气处理系统
工艺尾气、碱性废气主要来源于:PEVCD工艺过程中使用氨气、硅烷等过程,碱性废气的主要成分为氨、
工艺尾气中含有微量硅烷等。采用HWR型生产工艺废气燃烧加喷淋的处理系统进行处理。
工艺尾气、碱性废气处理设备结构:废气排放管理办法 A/0 页号:4/9


工艺尾气、碱性废气处理流程图:


有机废气处理系统
有机废气主要来源于丝网印刷和烧结过程中产生的有机气体,主要成份为异丙醇等有机物。设置活性
炭纤维吸附处理系统进行处理。
采取的活性炭纤维吸附处理系统对VOC的处理效果能达到90%以上,满足《中华人民共和国国家标准大气污
染物综合排放标准》的要求。
有机废气系统处理流程
挥发性有机化合物废气经过活性炭吸附塔,由内部活性炭过滤器吸附,处理后由风机抽引经烟囱排
至大气环境。
活性炭吸附塔结构原理:废气排放管理办法 A/0 页号:5/9




有机废气处理流程图:


工艺尾气排放分析
工艺废气来源
在电池芯片的加工过程中,工艺尾气主要来自扩散、PECVD、干法刻蚀等工序,尾气中含有微量硅烷等。
应用工艺特殊气体的典型生产工艺为:
(1)扩散:扩散是在硅片表面掺入纯杂质原子的过程。工艺生产过程中分为沉积源和驱赶两步,其化学反
应为:

①:5 POCl3 3 PCl5 + P2O5

②:5P2O5 + 5 Si == 5SiO2 + 4P废气排放管理办法 A/0 页号:6/9

(2)化学气相沉积(PECVD):PECVD是在硅片上沉积氧化硅、氮化硅和多晶硅等半导体器件材料,在300~
900℃的温度下通过化学反应产生以上物质的过程,其化学反应为:
SiH4 + O2 → SiO2 + 2H2O
SiH4 + N2O → S

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