文档介绍：半导体晶体管 第1页，共59页，2022年，5月20日，1点48分，星期二 College of Physics Science & Technology YANGZHOU UNIVERSITY CHINA 导体。 Si Si Si Si Si Si Si P 多余价电子 本征半导体中由于载流子数量极少，导电能力很低。如果在其中参入微量的杂质(某种元素)将使其导电能力大大增强。 College of Physics Science & Technology YANGZHOU UNIVERSITY CHINA 第10页，共59页，2022年，5月20日，1点48分，星期二 2. P 型半导体 在硅或锗的晶体中掺入三价元素硼，在组成共价键时将因缺少一个电子而产生一个空位，相邻硅原子的价电子很容易填补这个空位，而在该原子中便产生一个空穴，使空穴的数量大大增加，成为多数载流子，电子是少数载流子，将这种半导体称为 P 型半导体。 Si Si Si Si Si Si Si B 空位 B 空穴 价电子填补空位 College of Physics Science & Technology YANGZHOU UNIVERSITY CHINA 第11页，共59页，2022年，5月20日，1点48分，星期二 PN 结的形成 用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上，形成 P 型半导体区域和 N 型半导体区域，在这两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 P 区 N 区 N区的电子向P区扩散并与空穴复合 PN 结 内电场方向 College of Physics Science & Technology YANGZHOU UNIVERSITY CHINA 第12页，共59页，2022年，5月20日，1点48分，星期二 PN 结的单向导电性 (1) 外加正向电压 内电场方向 E 外电场方向 R I P 区 N 区 外电场驱使P区的空穴进入空间 电荷区抵消一部分负空间电荷 N区电子进入空间电荷区 抵消一部分正空间电荷 空间电荷区变窄 扩散运动增强，形 成较大的正向电流 College of Physics Science & Technology YANGZHOU UNIVERSITY CHINA 第13页，共59页，2022年，5月20日，1点48分，星期二 P 区 N 区 内电场方向 E R 空间电荷区变宽 外电场方向 IR 外加反向电压 外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走 少数载流子越过 PN 结形成很小的反向电流 多数载流子的扩散运动难于进行 返回 College of Physics Science & Technology YANGZHOU UNIVERSITY CHINA 第14页，共59页，2022年，5月20日，1点48分，星期二 半导体二极管基本结构 将 PN 结加上相应的电极引线和管壳，就成为半导体二极管。按