文档介绍：时间：二O二一年七月二十九日
光刻胶产物前途无量（半导体技术天地）之蔡仲巾千
创作
时间：二O二一年七月二十九日
Y、八、■
前言
光刻胶（又名光致抗蚀剂）是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、
X射线、离子束等曝光源的照——光刻胶研究的组长单元.“十五”期间,科技部为了尽快缩小光刻技术配套用资料与国际先进水平的差距,将新型高性能光刻胶列入了“
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863”重年夜专项计划之中,，〜,曾作为国家“八五”科研攻关“南方基地”的组长单元，其光刻胶产物以用于LCD的正胶为主，，北京化学试剂研究所的上级单元——北京化工集团有限责任公司正在做相关规划，争取在“十五”期间，，〜,之后还要相继生产i线正胶、〜，进行248nm深紫外光刻胶的财富化工作，争取使其产物打入国内合资或独资的集成电路生产企业.
前途无量
近年来，光刻胶在微电子行业中不竭开发出新的用途，如采纳光敏性介质资料制作多芯片组件(MCM).MCM技术可年夜幅度缩小电子系统体积,减轻其质量,,已广泛地应用
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,发展微电子信息财富及光电财富中不成缺少的基础工艺资料——光刻胶产物在21世纪的应用将更广泛、更深入.
光刻胶的界说及主要作用光刻胶是一种有机化合物,它受紫外光曝光后,,曝光后烘烤成固态.
光刻胶的作用：
a、将掩膜板上的图形转移到硅片概况的氧化层中；
b、在后续工序中，呵护下面的资料(刻蚀或离子注入).
，
，,溶剂很快就蒸发失落了,
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wafer对特定波成的光线很敏感，特别是紫外（UV）,包括红,.
光刻胶的主要技术参数
a、分辨率（resolution）.（CD,CriticalDimension）,光刻胶的分辨率越好.
b、比较度（Contrast）.,形成图形的侧壁越峻峭,分辨率越好.
c、敏感度（Sensitivity）.光刻胶上发生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值（或最小曝光量）.单元：毫焦/平方厘米或町/（DUV）、极深紫外光（EUV）等尤为重要.
d、粘滞性/黏度（Viscosity）.；高的粘滞性会发生厚的光刻胶；越小的粘滞性,(SG,SpecificGravity)，粘滞性更高、：泊
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(poise)，光刻胶一般用厘泊(cps，厘泊为1%泊)；运动粘滞率界说为：运动粘滞率=绝对粘滞率/：百分斯托克斯(cs)=cps/SG.
e、粘附性(Adherence).(刻蚀、离子注入等).
f、抗蚀性(Anti-etching).