文档介绍：PCB流程PTHPP
生产参数及作用
主要药水名称
主要参数
作用机理
温度
时间
浓度
膨胀剂
70-75℃
5-7min
80-100%
降低高分子树脂键能,选择性膨松树脂
高锰酸钾
70PCB流程PTHPP
生产参数及作用
主要药水名称
主要参数
作用机理
温度
时间
浓度
膨胀剂
70-75℃
5-7min
80-100%
降低高分子树脂键能,选择性膨松树脂
高锰酸钾
70-80℃
10-14min
50-60g/l
蚀刻树脂,除去孔壁熔融的胶渣
中和剂
40-45℃
4-6min
90-100%
清洁板面及孔壁的K2MnO4\MnO2
除油剂
45-55℃
5-7min
500-700ppm
清洁板面污垢,调整孔壁电荷
微蚀剂
25-30℃
1-2min
60-80g/l
清除氧化铜,去除表面调整剂
预浸剂
25-30℃
1-2min
2-3N
保护活化剂,降低表面张力
活化剂
35-45℃
5-7min
80-90%
催化剂
加速剂
30-50℃
4-6min
-
去除钯外面胶体使钯裸露
化学铜
30-45℃
15-20min
-
通过催化还原反应使Cu2+还原为Cu沉积在孔壁
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膨胀的功能
软化膨松孔内的树脂（Epoxy），降低聚合体间的键结能，使高锰酸钾（KMnO4） 更易咬蚀形成微小的粗糙面 。
PTH工艺流程
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除胶渣（Desmear)的目的
去除钻孔时因高温产生的熔融状胶渣（Desmear）
产生微小粗糙面，增加孔壁与铜的结合力。
目前本厂使用高锰酸钾法除胶渣。
PTH工艺流程
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化学铜(PTH) 的原理
PTH工艺流程
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PTH制作能力
通孔 ;
or Aspect Ratio ≤12:1
盲孔 最小孔径3MIL;
Aspect Ratio ≤1：1
沉铜厚度
低速沉铜（LOW BUILD） 15-50u”
高速沉铜（HIGH BUILD） 60-100u”
H
R
H：R≤12：1
R
H
H：R≤1：1
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PTH/PP工序常见缺陷
塞孔
铜瘤
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PTH/PP工序常见缺陷
孔内无铜
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板面电镀工艺
工艺流程
上板→除油→水洗→酸浸→镀铜→水洗→下板→炸棍→水洗→上板
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主要物料及特性
物料名称
规格
用途
铜粒
Φ33mm铜球
补充阳极,通过电解进入溶液
硫酸
AR级
导电介质,围持酸铜比,参与电极反应
硫酸铜
AR级
同上
添加剂
GB
提高镀层的平整性和光亮度
滤芯
10”5MIC/20”5MIC
过滤镀液杂质
阳极袋
7”×28”丙纶
阻止阳极泥进入溶液产生铜粗
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通孔
;
or Aspect Ratio ≤12:1
Throwing power(孔内铜厚/板面镀铜厚度） ≥80%
表面分布能力 Cov(stdev/ave) ≤ 8%
盲孔
最小孔径3MIL;
Aspect Ratio ≤1：1
最大板厚度: 270MIL
最大板尺寸: 24”×40”
板面电镀制作能力
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主要缺陷
镀铜粗糙
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PTH工序发展趋势
直接电镀(Direct plating)
由于化学铜的制程中，有很多对人体健康有害的成份(如甲醛会致癌)，以及废水处理(如有Chelate)有不良影响的成份。
因此早在10多年前就有取代传统PTH所谓Direct Plating(不须靠化学铜的铜当导体)商品出现，至今在台湾量产亦有很多条线。
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直接电镀种类
直接电镀种类
大致上可归为三种替代铜的导体 A. Carbon-碳粉(Graphite同) 黑孔 B. Conductive Polymer-导体高分子 C. Palladium-钯金属
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PTH工序发展趋势
直接电镀的好处 缩短制程 减少污染
小孔通孔能力提高 降低成本 基材多样化处理能力
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PLASMA-等离子除胶渣机
RF cenerator
Gas
Gas valve
plasma
Electrode
Electrode
Vacuum pump