文档介绍：PCB流程简介-全制程(新)
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PA1(内层课)介绍
显影(Developing):
目的:
用碱液作用将未发生化学反应之干膜部分冲掉
主要原物料:Na2CO3
使用将未发生聚合反应之干膜冲掉,而发生聚合反
垫板:主要为复合板,在制程中起保护钻机台面;防出口性毛头;降低钻针温度及清洁钻针沟槽胶渣作用
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PA3(钻孔课)介绍
钻孔
铝盖板
垫板
钻头
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PA3(钻孔课)介绍
下PIN:
目的:
将钻好孔之板上的PIN针下掉,将板子分出
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PCB製造流程簡介---PB0
PB0介紹(鑽孔後至綠漆前)
PB1(電鍍一課): 水平PTH連線;一次銅線
PB2(外層課):前處理壓膜連線;自動手動曝光;顯影
PB3(電鍍二課):二次銅電鍍;外層蝕刻
PB9(外層檢驗課)：
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PB1(電鍍一課)介紹
流程介紹
鑽孔
去毛頭
(Deburr)
去膠渣
(Desmear)
化學銅
(PTH)
一次銅
Panel Plating
目的:
使孔璧上的非導體部分之樹脂及玻璃纤維進行金屬化
方便進行後面之電鍍銅制程,完成足夠導電及焊接之金屬孔璧
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PB1(電鍍一課)介紹
去毛頭(Deburr):
毛頭形成原因:鑽孔後孔邊緣的未切斷的銅絲及未切斷 的玻璃布
Deburr之目的:去除孔邊緣的巴厘,防止鍍孔不良
重要的原物料：刷輪
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PB1(電鍍一課)介紹
去膠渣(Desmear):
Desmear形成原因: 鑽孔時造成的高溫超過玻璃化轉移溫度
(Tg值),而形成融熔狀,產生膠渣
Desmear之目的:裸露出各層需互連的銅環，另膨松劑可
改善孔壁結構，增強電鍍銅附著力
重要的原物料：KMnO4(除膠劑)
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PB1(電鍍一課)介紹
化學銅(PTH)
化學銅之目的: 通過化
學沉積的方式時表面
沉積上厚度為20-40
micro inch的化學銅
重要原物料：活化鈀，鍍銅液
PTH
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PB1(電鍍一課)介紹
一次銅
一次銅之目的: 鍍上200-
500 micro inch的厚度的
銅以保護僅有20-40
micro inch厚度的化學銅
不被後制程破壞造成孔破
重要原物料: 銅球
一次銅
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PB2(外層課)介紹
流程介紹:
前處理
壓膜
曝光
顯影
目的:
經過鑽孔及通孔電鍍後,內外層已經連通,本制程製作外
層線路,以達電性的完整
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PB2(外層課)介紹
前處理:
目的:去除銅面上的污染物，增加銅面粗糙度,以利於後續
的壓膜制程
重要原物料：刷輪
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PB2(外層課)介紹
壓膜(Lamination):
製程目的: 通過熱壓法使幹膜緊密附著在銅面上
重要原物料：乾膜(Dry Film)
溶劑顯像型
半水溶液顯像型
鹼水溶液顯像型
水溶性乾膜主要是由於其組成中含有機酸根，會與
強鹼反應使成為有機酸的鹽類，可被水溶掉
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PB2(外層課)介紹
曝光(Exposure):
製程目的: 通過Image
Transfer技術在幹膜上曝出
客戶所需的線路
重要的原物料：底片
外層所用底片与内層相反
，為負片，底片黑色為綫
路白色為底板(白底黑綫)
白色的部分紫外光透射過
去，乾膜發生聚合反應，
不能被顯影液洗掉
乾膜
底片
UV光
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PB2(外層課)介紹
顯影(Developing):
製程目的: 把尚未發生聚合反
應的區域用顯像液將之沖洗
掉,已感光部分則因已發生聚
合反應而洗不掉而留在銅面
上成為蝕刻或電鍍之阻劑膜
重要原物料：弱堿(Na2CO3)
一次銅
乾膜
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PB3(電鍍二課)介紹
流程介紹:
二次鍍銅
剥膜
線路蝕刻
剥錫
目的:
將銅厚度鍍至客戶所需求的厚度
完成客戶所需求的線路外形
鍍錫
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PB3(電鍍二課)介紹
二次鍍銅:
目的:將顯影后的裸露銅
面的厚度加後,以達到客
戶所要求的銅厚
重要原物料：銅球
乾膜
二次銅
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PB3(電鍍二課)介紹
鍍錫:
目的:在鍍完二次銅的表
面鍍上一層錫保護，做
為蝕刻時的保護劑
重要原物料：錫球
乾膜
二