文档介绍：PCB流程简介-全制程
PA1(内层课)介绍
蚀刻(ETCHING):
目的:
利用药液将显影后露出的铜蚀掉,形成内层线路图形
主要原物料:蚀刻药液(CuCl2)
蚀刻后
蚀刻前
8
PA1(内层课)介绍
去膜(一次銅線;
PB2(外層課):前處理壓膜連線;自動手動曝光;顯影
PB3(電鍍二課):二次銅電鍍;外層蝕刻
PB9(外層檢驗課)：
25
PB1(電鍍一課)介紹
流程介紹
鑽孔
去毛頭
(Deburr)
去膠渣
(Desmear)
化學銅
(PTH)
一次銅
Panel plating
目的:
使孔璧上的非導體部分之樹脂及玻璃纤維進行金屬化
方便進行後面之電鍍銅制程,完成足夠導電及焊接之金屬孔璧
26
PB1(電鍍一課)介紹
去毛頭(Deburr):
毛頭形成原因:鑽孔後孔邊緣的未切斷的銅絲及未切斷 的玻璃布
Deburr之目的:去除孔邊緣的巴厘,防止鍍孔不良
重要的原物料：刷輪
27
PB1(電鍍一課)介紹
去膠渣(Desmear):
smear形成原因: 鑽孔時造成的高溫超過玻璃化轉移溫度
(Tg值),而形成融熔狀,產生膠渣
Desmear之目的:裸露出各層需互連的銅環，另膨松劑可
改善孔壁結構，增強電鍍銅附著力。
重要的原物料：KMnO4(除膠劑)
28
PB1(電鍍一課)介紹
化學銅(PTH)
化學銅之目的: 通過化學沉積的方式時表面沉積上厚度為20-40 micro inch的化學銅。
重要原物料：活化鈀，鍍銅液
PTH
29
PB1(電鍍一課)介紹
一次銅
一次銅之目的: 鍍上200-500 micro inch的厚度的銅以保護僅有20-40 micro inch厚度的化學銅不被後制程破壞造成孔破。
重要原物料: 銅球
一次銅
30
PB2(外層課)介紹
流程介紹:
前處理
壓膜
曝光
顯影
目的:
經過鑽孔及通孔電鍍後,內外層已經連通,本制程製作外
層線路,以達電性的完整
31
PB2(外層課)介紹
前處理:
目的:去除銅面上的污染物，增加銅面粗糙度,以利於後續
的壓膜制程
重要原物料：刷輪
32
PB2(外層課)介紹
壓膜(Lamination):
製程目的: 通過熱壓法使幹膜緊密附著在銅面上.
重要原物料：乾膜(Dry film)
溶劑顯像型
半水溶液顯像型
鹼水溶液顯像型
水溶性乾膜主要是由於其組成中含有機酸根，會與強鹼
反應使成為有機酸的鹽類，可被水溶掉。
33
PB2(外層課)介紹
曝光(Exposure):
製程目的: 通過 image transfer技術在幹膜上曝出客戶所需的線路
重要的原物料：底片
外層所用底片与内層相反，為負片，底片黑色為綫路白色為底板(白底黑綫)
白色的部分紫外光透射過去，乾膜發生聚合反應，不能被顯影液洗掉
乾膜
底片
UV光
34
PB2(外層課)介紹
顯影(Developing):
製程目的: 把尚未發生聚合反應的區域用顯像液將之沖洗掉,已感光部分則因已發生聚合反應而洗不掉而留在銅面上成為蝕刻或電鍍之阻劑膜.
重要原物料：弱堿(Na2CO3)
一次銅
乾膜
35
PB3(電鍍二課)介紹
流程介紹:
二次鍍銅
剥膜
線路蝕刻
剥錫
目的:
將銅厚度鍍至客戶所需求的厚度
完成客戶所需求的線路外形
鍍錫
36
PB3(電鍍二課)介紹
二次鍍銅:
目的:將顯影后的裸露銅面的厚度加後,以達到客戶所要求的銅厚
重要原物料：銅球
乾膜
二次銅
37
PB3(電鍍二課)介紹
鍍錫:
目的:在鍍完二次銅的表面鍍上一層錫保護，做為蝕刻時的保護劑
重要原物料：錫球
乾膜
二次銅
保護錫層
38
PB3(電鍍二課)介紹
剥膜:
目的:將抗電鍍用途之幹膜以***水剥除
重要原物料：剝膜液(KOH)
線路蝕刻:
目的:將非導體部分的銅蝕掉
重要原物料：蝕刻液(氨水)
二次銅
保護錫層
二次銅
保護錫層
底板
39
PB3(電鍍二課)介紹
剥錫:
目的:將導體部分的起保護作用之錫剥除
重要原物料:HNO3+H2O2兩液型剥錫液
二次銅
底板
40
PB9(外層檢驗課)介紹
流程介紹:
流程説明：虛綫框代表該制程將根據客戶或厰内需要決定是