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硅光电池特性实验.docx

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硅光电池特性实验.docx

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文档介绍

文档介绍:t5^ern*4
ZKY-SAC-1
太阳能电池特性实验仪
实验指导及操作说明书
成都世纪中科仪器有限公司
地址:成都市人民南路四段 9 号中科院成都分院 邮编:610041
开时测得的最大电压V°c称为开路电压。
太阳能电池的输出功率为输出电压与输出电 流的乘积。同样的电池及光照条件,负载电阻大 小不一样时,输出的功率是不一样的。若以输出 电压为横坐标,输出功率为纵坐标,绘出的 P-V 曲线如图 2 点划线所示。
输出电压与输出电流的最大乘积值称为最大 输出功率 Pmax。
max

P
F • F = max
V XI
oc
填充因子是表征太阳电池性能优劣的重要参 数,其值越大,电池的光电转换效率越高,一般的 〜。
转换效率n定义为:
$ P
耳(%) = max X100% ⑵
sP
in
Pin 为入射到太阳能电池表面的光功率。 理论分析及实验表明,在不同的光照条件下, 短路电流随入射光功率线性增长,而开路电压在入射光功率增加时只略微增加,如图3所示 硅太阳能电池分为单晶硅太阳能电池、 多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能 电池三种。
1)
sc
单晶硅太阳能电池转换效率最高, 技术也最为成熟。 在实验室里最高的转换效率为 % ,规模生产时的效率可达到 15%。在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位。 但由于单晶硅价格高,大幅度降低其成本很困难,为了节省硅材料,发展了多晶硅薄膜 和非晶硅薄膜做为单晶硅太阳能电池的替代产品。
多晶硅薄膜太阳能电池与单晶硅比较,成本低廉,而效率高于非晶硅薄膜电池,其 实验室最高转换效率为 18%, 工业规模生产的转换效率可达到 10%。因此,多晶硅薄膜电 池可能在未来的太阳能电池市场上占据主导地位。
非晶硅薄膜太阳能电池成本低,重量轻,便于大规模生产,有极大的潜力。如果能 进一步解决稳定性及提高转换率,无疑是太阳能电池的主要发展方向之一。
实验仪器
太阳能电池实验装置如图4 所示,电源面板如图5所示。
图 4 太阳能电池实验装置
光源采用碘钨灯,它的输出光谱接近太阳光谱。调节光源与太阳能电池之间的距离可以 改变照射到太阳能电池上的光功率,具体数值由光功率计测量。测试仪为实验提供电源,同 时可以测量并显示电流、电压、以及光功率的数值。
电压源:可以输出0〜8V连续可调的直流电压。为太阳能电池伏安特性测量提供电压。
电压/光功率表:通过“测量转换”按键,可以测量输入“电压输入”接口的电压,或接 入“光功率输入”接口的光功率计探头测量到的光功率数值。表头下方的指示灯确定当前的 显示状态。通过“电压量程”或“光功率量程”,可以选择适当的显示范围。
电流表:可以测量并显示0〜200mA的电流,通过“电流量程”选择适当的显示范围。
太阳能电池特性实验仪
图 5 太阳能电池特性实验仪
实验内容与步骤
1.硅太阳能电池的暗伏安特性测量
暗伏安特性是指无光照射时,流经太阳能电池的电流与外加电压之间的关系。
太阳能电池的基本结构是一个大面积平面 P-N 结,单个太阳能电池单元的 P-N 结面积已 远大于普通的二极管。在实际应用中,为得到所需的输出电流,通常将若干电池单元并联。 为得到所需输出电压,通常将若干已并联的电池组串连。因此,它的伏安特性虽类似于普通 二极管,但取决于太阳能电池的材料,结构及组成组件时的串并连关系。
本实验提供的组件是将若干单元并联。要求测试并画出单晶硅 , 多晶硅,非晶硅太阳能 电池组件在无光照时的暗伏安特性曲线。
用遮光罩罩住太阳能电池。
测试原理图如图 6 所示。将待测的太阳能电池接到测试仪上的“电压输出”接口,电阻 箱调至50Q后串连进电路起保护作用,用电压表测量太阳能电池两端电压,电流表测量回路 中的电流。
图 6 伏安特性测量接线原理图
将电压源调到0V,然后逐渐增大输出电压,。记录到表1中。 将电压输入调到0V。然后将“电压输出”接口的两根连线互换,即给太阳能电池加上反 向的电压。逐渐增大反向电压,记录电流随电压变换的数据于表1 中。
表 1 3 种太阳能电池的暗伏安特性测量
电压(V)
电流(mA)
单晶硅
多晶硅
非晶硅
-8
-7
-6