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集成电路设计基础实验报告
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集成电路设计基础实验报告 本文简介：集成电路设计基础实验报告专业：电子信息如下：
上图为N型MOS管的IV特性曲线，输入为栅源电压，单位为V；输出为漏电流，单位为mA。输入从0到5V线性扫描，得到上图曲线。
五、思考题
1.
此时M1的工作状态为饱和区，漏电流的表达式为：
2.
，仿真结果中漏电流的变化趋势基本相同，但是数值有所差异。原因分析：模型文件中包括电容电阻系数等数据，模型不同，相应数据也就不同，计算结果数值当然会有差异。
，同样，变化趋势基本相同，但是数值有所差异，且输出与宽长比的数值呈现正比例关系。原因分析：漏电流的表达式中含有W/L，及宽长比，所以宽长比的变化必然会引起漏电流输出的变化。
实验二
单级放大器性能仿真
一、实验目的
1、掌握电阻负载、带源极负反馈的共源级的性能仿真方法。
2、掌握源跟随器、共源共栅级的性能仿真方法。
二、实验内容及相应结果
2．1
电阻负载的共源级
（1）画电路图。（2）加入电源电压和输入电压，其中电源电压为3V（将电源电压名为vvdd），输入电压为1V（将输入电压改为vvin），电阻值为1K欧，晶体管的栅宽为100u，栅长为1u。画完的电路图如下：
（3）生成spice文件，并且加入include命令、DC
transfer
sweep命令（vvin从0到3V扫描，）、输出直流电压vout命令。
（4）仿真，结果如下：
图中横轴为栅源电压，纵轴为漏源电压，单位都是V。，得到上图曲线。
带源级负反馈的共源级
（1）画电路图。（2）加入电源电压和输入电压，其中电源电压为3V（将电源电压名为vvdd），输入电压为1V（将输入电压改为vvin），负载电阻值为1K欧，源级电阻为50欧，晶体管的栅宽为100u，栅长为2u。画完的电路图如下：
（3）生成spice文件，并且加入include命令、DC
transfer
sweep命令（vvin从0到3V扫描，）、输出直流电压vout命令。
（4）仿真，结果如下：
图中，横轴为栅端电压，纵轴为漏端电压，单位都是V。，得到上图曲线。
源跟随器
（1）画电路图。（2）加入电源电压和输入电压，其中电源电压为3V（将电源电压名为vvdd），输入电压为1V（将输入电压改为vvin），源级电阻为5000欧，晶体管的栅宽为22u，栅长为2u。画完的电路图如下：
（3）生成spice文件，并且加入include命令、DC
transfer
sweep命令（vvin从0到3V扫描，）、输出直流电压vout和vin命令。
（4）仿真，结果如下：
图中，栅端为输入端，源端为输出端，上端的线为输入电压的变化，下方的曲线为输出电压的变化趋