文档介绍：微电子学专业实验-介绍XXXX
集成电路性能参数测试与应用及现代集成电路EDA
技术实验：
双极性运算放大器参数的测试
版图电路分析
几种数字门电路的计算机模拟与仿真
运算放大器应用电路模拟与仿真
数字电路版图设计
模拟集成电路设计的物理意义及BJ2922B型场效应管参数测试仪的使用方法
实验五 场效应晶体管参数测量
实验六 光电导衰减法测量单晶硅非平衡少数载流子寿命
半导体材料中的非平衡少数载流子寿命对器件的电流增益、正向压降、开关速度的参数起着决定性作用。
光电导衰减法有直流光电导衰减法、高频光电导衰减法和微波光电导衰减法，其差别主要在于是用直流、高频电流还是用微波来提供检测样品中非平衡载流子的衰减过程的手段。
本实验采用高频光电导衰退法来测量非平衡少子的寿命。
实验目的：
1．掌握用高频光电导衰减法测量Si单晶中少数载流子寿命的原理和方法；
2. 加深对少数载流子寿命及其与样品其它物理参数关系的理解。
实验内容：
1、测量3个不同电阻率样品的非平衡少子寿命τ。
2、每个样品测定2－3次，求出平均值，获得Si材料在光照下的∆V~t曲线。
3、对结果进行分析。
实验六 光电导衰减法测量单晶硅非平衡少数载流子寿命
实验八 p-n 结的显示与结深的测量
在用平面工艺制造晶体管和集成电路时，一般用扩散法制作p-n结。由于扩散杂质与外延层杂质的类型不同，所以在外延层中某一个位置，其掺入杂质浓度与外延层杂质浓度相等，从而形成了p-n结。将p-n结材料表面到p-n结界面的距离称为p-n结结深，一般用Xj表示。由于基区宽度决定着晶体管的放大倍数β、特征频率fT等电参数，而集电结结深Xjc和发射结结深Xje之差就是基区宽度，因此必须了解并掌握测量结深的原理和方法。
测量结深的方法有磨角法、滚槽法，也可以采用阳极氧化剥层法直接计算得出。本实验采用磨角法。
本实验的目的是学会用磨角器磨角法制作p-n 结样片，采用电解水氧化法显示p-n 结；并利用金相显微镜观测结深。
实验内容
1、用磨角器磨角法制作p-n 结样片；
2、采用电解水氧化法显示p-n 结；
3、用金相显微镜观测样品的相关数据并计算出结深，重复测量3 次，求出结深的平均值。
实验八 p-n 结的显示与结深的测量
实验九 用椭偏仪测量薄膜厚度
二氧化硅（SiO2）介质膜是硅集成电路平面制造工艺中不可缺少的重要材料。根据不同的需要，人们利用各种方法制备二氧化硅，用来作为器件的保护层和钝化层，以及电性能的隔离、绝缘材料和电容器的介质膜等。其更重要的应用之一，就是作为选择性扩散的掩蔽膜。无论SiO2膜用作哪一种用途，都必须准确的测定和控制它的厚度。另外，折射率是表征SiO2薄膜光学性质的一个重要参数，因此我们必须掌握SiO2膜厚及其折射率的测量方法。
通常测定薄模厚度的方法有比色法、干涉法、椭偏法等。比色法可以方便的估计出氧化硅膜的厚度，但误差较大。干涉法具有设备简单、测量方便的特点，结果也比较准确。椭偏法测量膜厚是非破坏性测量，具有测量精度高，方法较灵敏的独特优点，因此已广泛应用在光学、半导体、生物、医学等方面。
实验九 用椭偏仪测量薄膜厚度
本实验目的：
1、了解用椭圆偏振法测量薄膜参数的基本原理和方法；
2、掌握SGC-2型自动椭圆偏振测厚仪的使用方法；
3、用椭偏仪测量Si衬底上的SiO2薄膜的折射率和厚度。
实验内容
1．用椭偏仪测量Si衬底上的SiO2薄膜的折射率和厚度；（选两个样品进行测试）
2．重复测量3 次，求折射率和膜厚的平均值。
实验十 晶体管特征频率的测量
晶体管频率特性表现为其交流电流增益随晶体管工作频率的提高而下降。晶体管特征频率的测量定义为共射极输出交流短路电流增益下降到时的工作频率。它反映了晶体管在共发射运用中具有电流放大作用的极限频率,也是晶体管最重要的频率参数之一。晶体管特征频率与晶体管的结构设计和物理参数有关,还与晶体管工作时的电流大小密切相关。因此,晶体管的特征频率fT是指在一定偏置条件下的测量值。其测试原理通常采用"增益—带宽"积的方法。
本实验的目的是掌握晶体管特征频率fT的测试原理及测量方法,熟悉fT分别随IE和VCE变化的规律,加深其与晶体管结构设计和物理参数各工作偏置条件的理解。为晶体管的频率特性设计,制造和应用奠定基础。
实验十 晶体管特征频率的测量
实验内容 1. 在规范偏置条件下测量所选晶体管的特征频率。
2. 置规范值，改变测量~变化关系。
3. 置规范值，改变测量~变化关系。
4. 在被测管的发射结并接数pF电容，