微电子封装.ppt

文档介绍：微电子封装
以引脚分布形态区分:典型 IC 封装形式
四边形扁平封装
(QFP)
无管脚芯片载体
(LCC)
塑料电极芯片载体
(PLCC)
双列直插封装
(DIP)
薄小型封装
(TSOP)
单列直硅、金-锡、金-锗等硬质合金与铅-锡等软质合金。
传统装配与封装
硅片测试和拣选
引线键合
分片
塑料封装
最终封装与测试
贴片
Figure
互连技术
引线键合是将芯片表面的铝压点和引线框架上的电极内端（有时称为柱）进行电连接最常用的方法（见下图）。引线键合放置精度通常是＋5µm。键合线或是金或是铝，因为它在芯片压点和引线框架内端压点都形成良好键合，通常引线直径是25～75µm之间。三种基本引线键合的叫法各取自在引线端点工艺中使用的能量类型。三种引线键合方法是：
热压键合
超声键合
热超声球键合
引线键合
卷带自动键合(TAB)
倒装芯片连接
主要的电路互连方法
从芯片压点到引线框架的引线键合
压模混合物
引线框架
压点
芯片
键合的引线
管脚尖
Figure
芯片到引线框架的引线键合
Photo
热压键合
柱
器件压点
Figure
在热压键合中,,,,同时输送附加的引线,,直到所有芯片压点都被键合到它们相应的引线框架内端电极柱上.
超声线键合顺序
引线
楔压劈刀
(1)
劈刀向上移动
导给劈刀更长的引线
(3)
超声能
压力
引线框架
(4)
劈刀向上移动
在压点旁将引线折断
(5)
(2)
Al 压点
超声能
压力
芯片
Figure
,通常超声频率是60KHZ,,工具移动到引线框架内端电极压点,形成键合,
热超声球键合
(2)
H2 火焰
球
(1)
金丝
毛细管
劈刀
(5)
压力和加热
形成压点
引线框架
(6)
劈刀向上移动
在压点旁将引线折断
在压点上的焊球
压力和
超声能
芯片
(3)
劈刀向上移动并导入更长的引线
Die