文档介绍：电子技术基础 模拟部分第5章
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当vGS一定（vGS >VT ）时，
vDS
ID
沟道电位梯度
当vDS增加到使vGD=VT 时，在紧靠漏极
1. 开启电压VT （增强型参数）
2. 夹断电压VP （耗尽型参数）
3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数）
4. 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ）
二、交流参数
1. 输出电阻rds
当不考虑沟道调制效应时，＝0，rds→∞
MOSFET的主要参数
2. 低频互导gm
二、交流参数
考虑到
则
其中
MOSFET的主要参数
end
三、极限参数
1. 最大漏极电流IDM
2. 最大耗散功率PDM
3. 最大漏源电压V（BR）DS
4. 最大栅源电压V（BR）GS
MOSFET放大电路
MOSFET放大电路
1. 直流偏置及静态工作点的计算
2. 图解分析
3. 小信号模型分析
MOSFET放大电路
1. 直流偏置及静态工作点的计算
（1）简单的共源极放大电路（N沟道）
直流通路
共源极放大电路
MOSFET放大电路
1. 直流偏置及静态工作点的计算
（1）简单的共源极放大电路（N沟道）
假设工作在饱和区，即
验证是否满足
如果不满足，则说明假设错误
须满足VGS > VT ，否则工作在截止区
再假设工作在可变电阻区
即
假设工作在饱和区
满足
假设成立，结果即为所求。
解：
例：
设Rg1=60k，Rg2=40k，Rd=15k，
试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ 。
VDD=5V， VT=1V，
MOSFET放大电路
1. 直流偏置及静态工作点的计算
（2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路
饱和区
需要验证是否满足
MOSFET放大电路
1. 直流偏置及静态工作点的计算
静态时，vI＝0，VG ＝0，ID ＝I
电流源偏置
VS ＝ VG － VGS
（饱和区）
MOSFET放大电路
2. 图解分析
由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同
MOSFET放大电路
3. 小信号模型分析
（1）模型
静态值
（直流）
动态值
（交流）
非线性失真项
当，vgs<< 2(VGSQ- VT )时，
MOSFET放大电路
3. 小信号模型分析
（1）模型
0时
高频小信号模型
3. 小信号模型分析
解：：
（2）放大电路分析（）
s
3. 小信号模型分析
（2）放大电路分析（）
s
3. 小信号模型分析
（2）放大电路分析（）
共漏
3. 小信号模型分析
（2）放大电路分析
end
结型场效应管
JFET的结构和工作原理
JFET的特性曲线及参数
JFET放大电路的小信号模型分析法
JFET的结构和工作原理
1. 结构
# 符号中的箭头方向表示什么？
2. 工作原理
① vGS对沟道的控制作用
当vGS＜0时
（以N沟道JFET为例）
当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。
对于N沟道的JFET，VP <0。
PN结反偏
耗尽层加厚
沟道变窄。
vGS继续减小，沟道继续变窄。
2. 工作原理
（以N沟道JFET为例）
② vDS对沟道的控制作用
当vGS=0时，
vDS
ID
G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。
当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。
此时vDS
夹断区延长
沟道电阻
ID基本不变
2. 工作原理
（以N沟道JFET为例）
③ vGS和vDS同时作用时
当VP <vGS<0 时，导电沟道更容易夹断，
对于同样的vDS ， ID的值比vGS=0时的值要小。
在预夹断处
vGD=vGS-vDS =VP
综上分析可知
沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。
JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。
预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。
# 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？
JF