文档介绍：内存的性能指标
tCK(时钟周期)
存取时间
CAS的延迟时间
tAC
ECC
综合性能
tCK(时钟周期)
tCK代表内存所能运行的最大频率,数字越小说明内存芯片所能运行的频率越高。对于一片普通的PC-100的SDRAM内存条来说,其芯片上的标识10代表了它的运行时钟周期为l0ns,即可在100MHz的外频下正常工作。大多数内存标号的尾数表示tCK周期,如PC-。
存取时间
存取时间代表读取数据所延迟的时间。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。如LG的PC100 SDRAM芯片上的标识为7J或7K,说明它的存取时间为7ns,但它的系统时钟频率依然是10ns,外频为100MHz。
CAS的延迟时间
CL(CAS Latency)为CAS(Column Address Strobe,列地址控制器)的延迟时间,这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一定频率下衡量支持不同规范内存的重要标志之一。如现在大多数的SDRAM(在外频为100MHz时)都能在CL=2或CL=3的模式下运行,也就是说,它们读取数据的延迟时间可以是两个时钟周期也可以是3个时钟周期。在SDRAM的制造过程中,可以将这个特性写入SDRAM的EEPROM(即SPB)中,在开机时主板的BIOS就会检查此项内容,并以CL=2这一默认的模式运行。
tAC
tAC是CAS延迟时的最大输入时钟值,PC-100规范要求在CL=3时,tAC不大于6ns,而某些内存编号的尾数表示的就是这个值。
ECC
ECC是新型内存中普遍提到的一种技术名词,它是内存校验的一种。ECC与传统的奇偶校验(Parity)类似,然而奇偶校验只能检测到错误所在,并不能进行纠正,ECC却可以纠正绝大多数错误。它不仅能够检测一位错误,而且能够纠正一位错误,这意味着系统能在不中断和不破坏数据的情况下继续运行。
一般来说,内存条上的内存芯片是以双数形式出现的,如果有时看到单数的内存芯片,(Error Correction Coding或Error Chec