文档介绍：Mosfet 参数含义说明
Vds：DS 击穿电压.
当 Vgs=0V 时，MOS 的 DS 定的余量.
Rds(on)：DS 的导致电阻.
当 Vgs=10V 时，MOS 的 DMosfet 参数含义说明
Vds：DS 击穿电压.
当 Vgs=0V 时，MOS 的 DS 定的余量.
Rds(on)：DS 的导致电阻.
当 Vgs=10V 时，MOS 的 DS 之间的电阻.
Id：最大 DS 电流.
会随温度的升高而降低.
Absolute Maximum Ratings：
Vds:见 Features.
Vgs:最大 GS ：-20V~+20V（要注意可能是负的，针对不同形式的 MOSFET）
Id:见 Features.
Idm: 最大脉冲 DS 电流. 会随温度的升高而降低, 体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系.
Pd:最大耗散功率.
Tj: 150 度和 175 度.
Tstg:最大存储温度.
Iar:雪崩电流.
Ear:重复雪崩击穿能量.
Eas:单次脉冲雪崩击穿能量.
Electrical Characteristics:
BVdss：DS 击穿电压.
Idss:饱和 DS 级的电流.
Rds(on):见 Features.
Igss:GS 级的电流.
gfs:跨导.
Qg:G 总充电电量.
Qgs:GS 充电电量.
Qgd:GD Effect.
Td(on): 10%开始到 Vds 下降到其幅值 90%:上升时间。输出电
压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间。
Td(off):关断延迟时间。输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间。
Tf: 下降时间。输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。
Ciss:=Cgd + Cgs.
Coss:=Cds +Cgd.
Crss:=Cgc.
Cds---漏-源电容
Cdu---漏-衬底电容
Cgd---栅-源电容
Cgs---漏-源电容
Ciss---栅短路共源输入电容
Coss---栅短路共源输出电容
Crss---栅短路共源反向传输电容
D---占空比（占空系数，外电路参数）
di/dt---电流上升率（外电路参数）
dv/dt---电压上升率（外电路参数） ID---漏极电流（直流）
IDM---漏极脉冲电流
ID(on)---通态漏极电流
IDQ---静态漏极电流（射频功率管） IDS---漏源电流
IDSM---最大漏源电流
IDSS---栅-源短路时，漏极电流
IDS(sat