文档介绍：材料科学研究所部分研发业绩介绍
2005年9月
南昌大学处于中西部欠发达地区,在许多国家级和国防科研重大项目中都没有参与竞争的机会,学科发展条件相对不利。然而我们十多年来艰辛努力,锐意创新,扬长避短,取得了出色的业绩,为地方高科技产业发展作出了切实贡献。以下作一简要介绍。
产业化-方大集团
我校“教育部发光材料与器件工程研究中心”(图1)在2001年实现了蓝光LED材料的稳定生产, 打破了我国这一高技术产品依赖进口的局面。该技术由深圳方大集团投入巨资在江西南昌成立股份公司(江西方大福科信息材料有限公司)实现产业化,图2为实施产业化的方大集团蓝光LED材料生产系统。该技术转让、股权和最后被收购的情况可见互联网上公布的方大集团2004年度报告中有关陈述(附件1)。我校获得技术股权转让费450万元。
图1 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心主楼
图2 方大蓝光LED外延材料生产系统
2、产业化- 联创光电
发光中心2003年将绿光/紫光LED材料的生产技术转让到江西联创光电科技股份有限公司,技术转让费400万元,.
图3 联创光电GaN材料生产系统
-硅衬底蓝光LED材料及器件
发光中心研制的具有自主知识产权的硅衬底蓝光LED材料及器件(已公开发明专利6项),国际顶尖级同行专家评价为目前国际上最好结果. 图4为硅衬底蓝光LED发光照片. 附件2为“全国生产力促进中心”网站上的有关报道。硅衬底蓝光LED生产成本是蓝宝石衬底蓝光LED的1/2, 是一条非常有竞争力的半导体照明技术路线(成果证明人:中国工程院陈良惠院士). 目前有20多家国内外企业欲投资这一项目, 其中美国4家投资基金联合正在与我校洽谈产业化事宜。
图4 硅衬底蓝光二极管
4、生产型MOCVD设备国产化攻关
生产型MOCVD外延薄膜生长设备制造为少数国家垄断。. 2005年9月2日在我校通过863新材料领域光电子主题组织的验收,评价为(成果证明人: 863光电子主题专家组组长清华大学陈皓明教授.) 图5为该设备外观。
图5 国产化生产型MOCVD外延蓝光生长系统
5、自行研制ZnO晶体MOCVD外延生长系统
图6为发光中心自行研制的ZnO-MOCVD系统, 本设备设计制造技术转让到沈阳聚智公司进行量产。研究生用此设备生长出高质量ZnO单晶膜, 2005年发表和录用SCI源刊论文12篇.
图6 自行研制的ZnO晶体MOCVD外延生长系统