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场效应晶体管
(FET)
结型场效应晶体管(JFET)
金属-半导体场效应晶体管(MESFET)
MOS场效应晶体管(MOSFET)
在微处理器和存储器方面,MOS集成电路几乎占据了绝对位置。
促进MOS晶体管发展的4大技术
半导体表面的稳定化技术
各种栅绝缘膜的实用化技术
自对准结构的MOS工艺
阈值电压的控制技术
MOSFET:MOSfield-effecttransistor
也叫:绝缘栅场效应晶体管(InsulatedGate,IGFET)
金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(MISFET)
电压控制电流—>场效应晶体管
分为N沟道和P沟道,每一类又分为增强型和耗尽型。
MOS器件的表征:
沟道长度
沟道宽度
w
L
2MOS结构
MOS是采用电场控制感应电荷的方式控制导电沟道.
为了形成电场,在导电沟道区的止面覆盖了一层很薄的二氧化硅层,称为栅氧化层.
栅氧化层上覆盖一层金属铝或多晶硅,-氧化物-半导体结构,.
(NMOS为例)
NMOS工作原理
VDS<VGS-VT
VDS=VGS-VT
VDS>VGS-VT
阈值电压:
强反型层形成沟道时的栅源电压VT;
(表面反型产生的载流子数目等于衬底多子的数目)
线性区(Linearregion):
VDS<VGS–VT
饱和区(Saturationregion):
VDS>=VGS-VT
过渡区:
截止区(Cutoff):VGS–VT
击穿区:PN结击穿;